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1. (WO2005031752) MULTINARY MEMORY AND METHOD FOR RECORDING TO PHASE-CHANGE TYPE RECORDING MEDIUM FOR IT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/031752    International Application No.:    PCT/JP2004/014450
Publication Date: 07.04.2005 International Filing Date: 24.09.2004
Chapter 2 Demand Filed:    24.09.2004    
IPC:
G11C 11/56 (2006.01)
Applicants: KANAZAWA UNIVERSITY TECHNOLOGY LICENSING ORGANIZATION LTD. [JP/JP]; c/o Kanazawa University, 7-banchi, nu, Kakumamachi, Kanazawa-shi, Ishikawa 9201192 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKAYAMA, Kazuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KITAGAWA, Akio [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKAYAMA, Kazuya; (JP).
KITAGAWA, Akio; (JP)
Agent: TAKASHIMA, Hajime; Meiji Yasuda Seimei Osaka Midosuji Bldg. 1-1, Fushimimachi 4-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 541-0044 (JP)
Priority Data:
2003-335133 26.09.2003 JP
Title (EN) MULTINARY MEMORY AND METHOD FOR RECORDING TO PHASE-CHANGE TYPE RECORDING MEDIUM FOR IT
(FR) MEMOIRE A MULTINIVEAUX ET PROCEDE ASSOCIE D'ENREGISTREMENT SUR SUPPORT D'ENREGISTREMENT DE TYPE A CHANGEMENT DE PHASE
(JA) 多値メモリおよびそのための相変化型記録媒体への記録方法
Abstract: front page image
(EN)By controlling the number of times electric pulse is applied to a phase-change type recording medium so as to control the stepwise change of the resistance value, multinary information is recorded according to the difference in resistance values. The electric pulse stepwise changes its resistance value by the first application means for changing the phase-change type recording medium from a high resistance state to a low resistance state and second application means for changing it from the low resistance state to the high resistance state. According to a difference between the information which has been recorded and the information to be recorded, an electric pulse required for changing to the information to be written is selected and its number of application times is calculated. The present invention provides a multinary memory appropriate for a simple circuit configuration with high integration.
(FR)Selon la présente invention, la régulation du nombre de fois qu'une impulsion électrique est appliquée sur un support d'enregistrement à changement de phase afin de réguler la modification par étapes de la valeur de résistance, permet d'enregistrer des informations à multiniveaux en fonction de la différence des valeurs de résistance. L'impulsion électrique permet de modifier progressivement sa valeur de résistance au moyen du premier dispositif d'application visant à modifier le support d'enregistrement à changement de phase d'un état de résistance élevée à un état de résistance basse et au moyen du second dispositif d'application servant à le modifier de l'état de résistance basse à l'état de résistance élevée. En fonction d'une différence entre les informations enregistrées et les informations à enregistrer, une impulsion électrique requise pour modifier les informations à écrire est sélectionnée et le nombre de fois qu'elle est appliquée est calculé. Cette invention a aussi trait à une mémoire à multiniveaux appropriée à une configuration de circuit simple à intégration élevée.
(JA)相変化型記録媒体への電気パルスの印加回数を制御することによって、抵抗値の段階的な変化を制御することで、抵抗値の違いによって多値情報を記録する。電気パルスは、相変化型記録媒体を高抵抗状態から低抵抗状態へと変化させる第一印加手段、低抵抗状態から高抵抗状態へと変化させる第二印加手段により段階的に抵抗値を変化させる。そして、記録された情報と書き込むべき情報との比較差分から、書き込むべき情報へ変化させるために必要な電気パルスが選択されその印加回数が算出される。本発明によって、回路構成が簡単で高集積化に好適な多値メモリが提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)