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1. (WO2005031751) NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WHICH USES SOME MEMORY BLOCKS IN MULTILEVEL MEMORY AS BINARY MEMORY BLOCKS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/031751    International Application No.:    PCT/JP2004/012420
Publication Date: 07.04.2005 International Filing Date: 23.08.2004
IPC:
G11C 11/56 (2006.01), G11C 16/02 (2006.01), G11C 16/22 (2006.01)
Applicants: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058001 (JP) (For All Designated States Except US).
SanDisk Corporation [US/US]; 140 Caspian Court, Sunnyvale, California, 94089 (US) (For All Designated States Except US).
NAGASHIMA, Hiroyuki [JP/JP]; (For US Only).
TANAKA, Tomoharu [JP/JP]; (For US Only).
KAWAI, Koichi [JP/JP]; (For US Only).
QUADER, Khandker, N. [US/US]; (For US Only)
Inventors: NAGASHIMA, Hiroyuki; .
TANAKA, Tomoharu; .
KAWAI, Koichi; .
QUADER, Khandker, N.;
Agent: SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE, 7-2, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1000013 (JP)
Priority Data:
2003-338545 29.09.2003 JP
Title (EN) NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WHICH USES SOME MEMORY BLOCKS IN MULTILEVEL MEMORY AS BINARY MEMORY BLOCKS
(FR) DISPOSITIF DE MEMOIRE NON VOLATILE A SEMI-CONDUCTEURS UTILISANT DES BLOCS DANS UNE MEMOIRE MULTINIVEAU SOUS FORME DE BLOCS DE MEMOIRE BINAIRE
Abstract: front page image
(EN)A nonvolatile semiconductor memory device includes a memory cell array, interface, and write circuit. The write circuit can selectively write data in the memory cell array by first write procedures or second write procedures in accordance with a data write command input to the interface. When a data write command by the first write procedures is input from the interface, the write circuit executes the command when flag data has a first value and does not execute the command when the flag data has a second value.
(FR)L'invention concerne un dispositif de mémoire non volatile à semi-conducteurs comprenant une matrice de cellules de mémoire, une interface et un circuit d'écriture. Le circuit d'écriture peut écrire sélectivement des données d'écriture dans la matrice de cellules de mémoire au moyen de premières procédures d'écriture ou de secondes procédures d'écriture conformément à une commande d'écriture de données entrée dans l'interface. Lorsqu'une commande d'écriture de données au moyen des premières procédures est entrée à partir de l'interface, le circuit d'écriture exécute cette commande lorsque des données de drapeau présentent une première valeur et ne l'exécute pas lorsque lesdites données de drapeau présentent une seconde valeur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)