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1. (WO2005031042) METHOD AND FACILITY FOR THE PRODUCTION OF A BAND ON A SUBSTRATE BAND
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/031042    International Application No.:    PCT/DE2004/002202
Publication Date: 07.04.2005 International Filing Date: 28.09.2004
IPC:
C23C 14/00 (2006.01), C23C 16/01 (2006.01), C25D 1/04 (2006.01), C25D 1/20 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, 80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
ARNDT, Axel [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HANSEN, Christian [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KRÜGER, Ursus [DE/DE]; (DE) (For US Only).
PYRITZ, Uwe [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: ARNDT, Axel; (DE).
HANSEN, Christian; (DE).
KRÜGER, Ursus; (DE).
PYRITZ, Uwe; (DE)
Common
Representative:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, 80506 München (DE)
Priority Data:
103 46 370.4 29.09.2003 DE
Title (DE) VERFAHREN UND HERSTELLUNGSANLAGE ZUM HERSTELLEN EINES BANDES AUF EINEM SUBSTRATBAND
(EN) METHOD AND FACILITY FOR THE PRODUCTION OF A BAND ON A SUBSTRATE BAND
(FR) PROCEDE ET INSTALLATION DE PRODUCTION POUR PRODUIRE UNE BANDE SUR UNE BANDE DE SUBSTRAT
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zum Herstellen beispielsweise eines HTSL-Bandes (16) auf einem Substratband (12) beschrieben, wobei aufgrund des Herstellungsprozesses (beispielsweise PVD-Verfahren oder galvanische Abscheidung) zwischen dem Substratband (12) und dem Band (16) eine starke Haftung auftritt. Erfindungsgemäß wird daher der Verband aus Substratband (12) und Band (16) nach dessen Herstellung einer Trenneinrichtung zugeführt, in der vor der Trennung eine Aufheizung durch Temperierwalzen (19a, 19b) und/oder (je nach Anwendungsfall) eine abrupte Abkühlung in einem Kühlbad (20) erfolgt, wodurch sich aufgrund unterschiedlicher Wärmeausdehnungskoeffizienten in der Grenzfläche zwischen den Bändern (12, 16) ein spannungsbedingter Stress im Gefüge ergibt. Dieser Stress erleichtert ein Ablösen des Bandes (16) vom Substratband (12) oder bewirkt dieses sogar, so dass ein anschließendes Abziehen schonend möglich ist. Weiterhin wird eine Herstellungseinrichtung beansprucht, in der die Erzeugungseinrichtung (17) und die Trenneinrichtung (15) insbesondere durch eine thermische Abschirmung (22) thermisch entkoppelt sind.
(EN)Disclosed is a method for producing an HTSC band (16) on a substrate band, for example, a strong bond being created between the substrate band (12) and the band as a result of the production process (e.g. PVD process or galvanic deposition). According to the invention, the bond comprising the substrate band (12) and the band (16) is delivered to a separating device following the production thereof. The bond is heated by means of tempering rollers (19a, 19b) and/or depending on the application abruptly chilled in a cooling bath (20) in said separating device before being separated such that tension-related stress is generated in the joint on the boundary surface between the bands (12, 16) due to different thermal expansion coefficients. Said stress facilitates or even causes separation of the band (16) from the substrate band (12), thus allowing the band (16) to be removed in a gentle fashion thereafter. Also disclosed is a production facility in which the production unit (17) and the separating device (15) are thermally decoupled, especially by means of a thermal shield (22).
(FR)La présente invention concerne un procédé pour produire, par exemple, une bande de supraconducteur haute température (16) sur une bande de substrat (12). Une force adhérence entre la bande de substrat (12) et la bande (16) apparaît en raison du processus de fabrication (par exemple procédé de dépôt physique en phase gazeuse ou dépôt galvanique). Selon cette invention, le composite composé de la bande de substrat (12) et de la bande (16) est transféré après sa fabrication à un système de séparation dans lequel un chauffage à travers des cylindres de régulation de température (19a, 19b) et/ou (en fonction de l'application) un refroidissement brutal dans un bain de refroidissement (20) ont lieu avant la séparation, ce qui résulte en un stress dans la structure qui est induit par contrainte, en raison de coefficients de dilatation différents dans la surface limite entre les bandes (12, 16). Ce stress permet de faciliter le détachement de la bande (16) par rapport à la bande de substrat (12) ou implique qu'un détachement ultérieur sans dommage est possible. La présente invention concerne également un dispositif de production dans lequel le système de fabrication (17) et le système de séparation (15) sont notamment isolés thermiquement par un bouclier thermique (22).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)