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1. (WO2005017999) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MAKING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/017999    International Application No.:    PCT/JP2004/011806
Publication Date: 24.02.2005 International Filing Date: 11.08.2004
Chapter 2 Demand Filed:    16.03.2005    
IPC:
H01L 23/62 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01)
Applicants: SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome Shinagawa-ku, Tokyo 1410001 (JP) (For All Designated States Except US).
IWABUCHI, Shin [JP/JP]; (For US Only)
Inventors: IWABUCHI, Shin;
Agent: NAKAMURA, Tomoyuki; c/o Miyoshi International Patent Office 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
Priority Data:
2003-294936 19.08.2003 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MAKING THE SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)An MCM semiconductor device that can operate at a high speed, exhibits a low power consumption and can prevent MCM reliability and yield from being degraded. A signal line between in-chip circuits (30,32) is electrically directly connected to them so as to reduce power consumption and provide a high-speed operation. A protection circuit (406) is provided on the signal line so as to achieve a protection from electrostatic damages. During a device production, when the in-chip circuits (30,32) are connected by use of a connection wire (12), the protection circuit (406) is connected to the signal line (an internal leader line (12a) and an internal wire (14)), thereby absorbing charges, even if caused to flow from semiconductor chips (20,22) into the signal line, by use of the protection circuit (406), whereby the circuit elements can be protected from the static electricity. After completion of the connection, the protection circuit (406) is disconnected from the signal line, so that during a normal use, the protection circuit (406) becomes no loads for the in-chip circuits (30,32), thereby preventing the operation speed from being degraded.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semiconducteur MCM pouvant fonctionner à grande vitesse, présentant une consommation faible et pouvant éviter la dégradation de la fiabilité et du rendement MCM. Une ligne de signal entre des circuits sur puces (30, 31) directement connectée de façon électrique à ceux-ci de manière à réduire la consommation d'énergie et à fournir un fonctionnement grande vitesse. Un circuit de protection (406) est placé sur la ligne de signal de manière à protéger contre les dommages électrostatiques. Au cours de la production d'un dispositif, lorsque les circuits sur puces (30, 32) sont connectés au moyen d'un câble de connexion (12), le circuit de protection (406) est connecté à la ligne de signal (ligne de repère interne (12a) et câble interne (14)), absorbant ainsi les charges, même si celles-ci sont entraînées de manière à s'écouler des puces à semiconducteur (20, 22) dans la ligne de signal, par le biais du circuit de protection (406), les éléments de circuit pouvant être protégés de l'électricité statique. Après réalisation de la connexion, le circuit de protection (406) est déconnecté de la ligne de signal, de sorte qu'au cours d'une utilisation normale, le circuit de protection (406) ne devienne pas une charge pour les circuits sur puces (30, 32), empêchant ainsi la dégradation de la vitesse de fonctionnement.
(JA)高速動作が可能で、かつ低消費電力化が可能であるとともに、MCMの信頼性や歩留まりの低下を防止することのできるMCM型の半導体装置である。チップ内部回路(30),(32)間の信号ラインを電気的に直接に接続することで、低消費電力化と高速化を図る。その信号ライン上には、静電気ダメージを保護する保護回路(406)を設ける。デバイス製造時、チップ内部回路(30),(32)間を接続配線(12)により接続する際、保護回路(406)を信号ライン(内部引出線(12a)、内部配線(14))に接続しておくことで、半導体チップ(20),(22)に帯電している電荷が信号ライン上に流れ込んでも保護回路(406)により吸収することで、回路素子を静電気から保護する。接続完了後には、保護回路(406)を信号ラインから切り離すことで、通常使用時に、保護回路(406)がチップ内部回路(30),(32)の負荷となることがなく、動作速度の低下を防止できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)