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1. (WO2005017983) PLASMA ASHING PROCESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/017983    International Application No.:    PCT/US2004/025962
Publication Date: 24.02.2005 International Filing Date: 11.08.2004
IPC:
H01L 21/311 (2006.01)
Applicants: AXCELIS TECHNOLOGIES INC. [US/US]; 108 Cherry Hill Drive, Beverly, Massachusetts 01915 (US) (For All Designated States Except US).
WALDFRIED, Carlo [DE/US]; (US) (For US Only).
ESCORCIA, Orlando [US/US]; (US) (For US Only).
HAN, Qingyuan [US/US]; (US) (For US Only).
BUCKLEY, Thomas [US/US]; (US) (For US Only).
SAKTHIVEL, Palanikumaran [IN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: WALDFRIED, Carlo; (US).
ESCORCIA, Orlando; (US).
HAN, Qingyuan; (US).
BUCKLEY, Thomas; (US).
SAKTHIVEL, Palanikumaran; (US)
Priority Data:
10/638,570 11.08.2003 US
Title (EN) PLASMA ASHING PROCESS
(FR) PROCEDE D'INCINERATION AU PLASMA
Abstract: front page image
(EN)A substantially oxygen-free and nitrogen-free plasma ashing process for removing photoresist in the presence of a low k material from a semiconductor substrate includes forming reactive species by exposing a plasma gas composition to an energy source to form plasma. The plasma gas composition is substantially free from oxygen-bearing and nitrogen-bearing gases. The plasma selectively removes the photoresist from the underlying substrate containing low k material by exposing the photoresist to substantially oxygen and nitrogen free reactive species. The process can be used with carbon containing low k dielectric materials.
(FR)L'invention porte sur un procédé d'incinération au plasma sensiblement sans oxygène et sans azote afin d'ôter la photorésine en présence d'un matériau à faible constante diélectrique d'un substrat semi-conducteur. Ce procédé consiste à former des espèces réactives par exposition d'une composition au gaz plasma à une source d'énergie afin de former du plasma. Cette composition de gaz plasma ne contient pratiquement pas de gaz porteur d'oxygène et d'azote. Le plasma ôte sélectivement la photorésine du substrat sous-jacent contenant un matériau à faible constante diélectrique par exposition de la photorésine à des espèces réactives ne contenant pratiquement pas d'oxygène et d'azote. Le procédé peut être utilisé avec des matériaux à faible constante diélectrique contenant du carbone.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)