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1. (WO2005017906) MULTILAYERED PHASE CHANGE MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/017906    International Application No.:    PCT/US2004/023868
Publication Date: 24.02.2005 International Filing Date: 26.07.2004
IPC:
H01L 45/00 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventors: JOHNSON, Brian, G.; (US).
HUDGENS, Stephen, J.; (US)
Agent: TROP, Timothy, N.; Trop, Pruner & Hu, P.C., 8554 Katy Freeway, Ste. 100, Houston, TX 77024 (US)
Priority Data:
10/634,130 04.08.2003 US
Title (EN) MULTILAYERED PHASE CHANGE MEMORY
(FR) MEMOIRE A CHANGEMENT DE PHASE MULTICOUCHE
Abstract: front page image
(EN)A phase change layer may switch between more and less conductive states in response to electrical stimulation. The phase change layer may be positioned over a non-switching ovonic material which acts as an electrode, a resistive heater, and an insulating barrier. The phase change layer may be positioned over a non-switching ovonic material which acts as an electrode, a resistive heater, and a thermal barrier.
(FR)L'invention concerne une couche à changement de phase pouvant être commutée entre des états plus ou moins conducteurs par rapport à la stimulation électrique. La couche à changement de phase peut être positionnée sur une matière ovonique non commutable qui agit comme une électrode, un chauffage résistif, et une barrière isolante. La couche à changement de phase peut être positionnée sur une matière ovonique non commutable qui agit en tant qu'électrode, chauffage résistif et barrière thermique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)