WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2005017480) SENSOR SLIP FIT APPARATUS AND METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/017480    International Application No.:    PCT/US2004/025264
Publication Date: 24.02.2005 International Filing Date: 05.08.2004
IPC:
G01L 9/00 (2006.01)
Applicants: HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; 101 Columbia Road, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07960 (US) (For All Designated States Except US).
GALL, Kenneth, E. [US/US]; (US) (For US Only).
MARSH, Brian, J. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: GALL, Kenneth, E.; (US).
MARSH, Brian, J.; (US)
Agent: HOIRIIS, David; HONEYWELL INTERNATIONAL INC., 101 Columbia Road, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07960 (US)
Priority Data:
10/635,351 05.08.2003 US
Title (EN) SENSOR SLIP FIT APPARATUS AND METHOD
(FR) APPAREIL ET PROCEDE D'AJUSTEMENT GLISSANT D'UN CAPTEUR
Abstract: front page image
(EN)A sensor apparatus and method are disclosed herein. A base is generally located proximate to a cover. A sensor element (e.g., quartz, silicon, ceramic, and the like) can be located on the base, such that the cover and the base form a clearance between the cover and the base. The clearance can be configured such that when the cover is at its smallest dimension within the tolerance range thereof and the base is at its largest dimension within the tolerance range thereof there is a clearance between them. Additionally, a sensor diaphragm and a dimple can be incorporated into the cover, wherein the dimple is in intimate contact with the sensor element at all pressure levels and temperatures thereof.
(FR)L'invention porte sur un appareil et un procédé de capteur. Une base se situe généralement à proximité d'un couvercle. Un élément de capteur (par exemple du quartz, du silicium, de la céramique et similaire) est situé sur la base de manière que le couvercle et la base forment un dégagement entre le couvercle et la base. Ce dégagement peut être configuré de manière que lorsque le couvercle est dans sa dimension la plus petite de sa plage de tolérance et la base est dans sa dimension la plus grande de sa plage de tolérance, un dégagement se forme entre les deux. De plus, un diaphragme de capteur et une saillie peuvent être intégrés dans le couvercle, la saillie étant en contact proche avec le capteur à tous les niveaux de pression et à toutes les températures.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)