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1. (WO2005016563) METHODS OF THINNING A SILICON WAFER USING HF AND OZONE
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Pub. No.: WO/2005/016563 International Application No.: PCT/US2004/021620
Publication Date: 24.02.2005 International Filing Date: 06.07.2004
IPC:
H01L 21/00 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
Applicants: BERGMAN, ERIC, J.[US/US]; US (UsOnly)
SEMITOOL, INC.[US/US]; 655 WEST RESERVE DRIVE KALISPELL, MT 59901, US (AllExceptUS)
Inventors: BERGMAN, ERIC, J.; US
Agent: PERKINS COIE LLP; KENNETH H. OHRINER P.O. BOX 1208 SEATTLE, WA 98111-1208, US
Priority Data:
10/631,37630.07.2003US
Title (EN) METHODS OF THINNING A SILICON WAFER USING HF AND OZONE
(FR) PROCEDES D'AMINCISSEMENT D'UNE TRANCHE DE SILICIUM AU MOYEN D'ACIDE FLUORHYDRIQUE ET D'OZONE
Abstract:
(EN) A method of thinning a silicon wafer (60) in a controllable cost-effective manner with minimal chemical consumption. The wafer (60) is placed into a process chamber (45), after which ozone gas (40) and HF vapor (61) are delivered into the process chamber to react with a silicon surface of the wafer. The ozone and HF vapor may be delivered sequentially, or may be mixed with one another before entering the process chamber. The ozone oxidizes the silicon surface of the wafer, while the HF vapor etches the oxidized silicon away from the wafer. The etched oxidized silicon is then removed from the process chamber. As a result, the wafer is thinned, which aids in preventing heat build-up in the wafer, and also makes the wafer easier to handle and cheaper to package. In alternative embodiments, HF may be delivered into the process chamber as an anhydrous gas or in aqueous form.
(FR) La présente invention a trait à un procédé d'amincissement d'une tranche de silicium (60) de manière contrôlable et économique avec une consommation minimale de produit chimique. La tranche (60) est placée dans une enceinte de traitement (45), après quoi le gaz d'ozone (40) et la vapeur d'acide fluorhydrique (61) sont introduits dans l'enceinte de traitement pour une réaction avec la surface de silicium de la tranche. L'ozone et l'acide fluorhydrique peuvent être introduits successivement, ou peuvent être mélangés ensemble avant leur introduction dans l'enceinte de traitement. L'ozone assure l'oxydation de la surface de silicium de la tranche, tandis que la vapeur d'acide fluorhydrique assure le décapage du silicium depuis la tranche. Le silicium oxydé et décapé est ensuite retiré de l'enceinte de traitement. Par conséquent, la tranche est amincie, permettant d'empêcher l'accumulation de chaleur dans la tranche, et rendant plus facile la manipulation de la tranche et un emballage plus économique. Dans d'autres modes de réalisation, l'acide fluorhydrique peut être introduit dans l'enceinte de traitement sous la forme d'un gaz anhydre ou sous une forme aqueuse.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)