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1. (WO2005015631) METHOD FOR PRODUCING THIN LAYERS OF SEMICONDUCTOR MATERIAL FROM A DOUBLE-SIDED DONOR WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/015631    International Application No.:    PCT/IB2004/002969
Publication Date: 17.02.2005 International Filing Date: 11.08.2004
IPC:
H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-38190 Bernin (FR) (For All Designated States Except US).
MALEVILLE, Christophe [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: MALEVILLE, Christophe; (FR)
Agent: TEXIER, Christian; Cabinet Regimbeau, 20, rue de Chazelles, F-75847 Paris Cedex 17 (FR)
Priority Data:
0309885 12.08.2003 FR
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING THIN LAYERS OF SEMICONDUCTOR MATERIAL FROM A DOUBLE-SIDED DONOR WAFER
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE COUCHES MINCES D'UN MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR A PARTIR D'UNE TRANCHE DU TYPE DONNEUR A DOUBLE FACE
Abstract: front page image
(EN)A method for producing thin layers of a material selected among semiconductor materials from a donor wafer successively comprises the following steps: (a) formation of a first weakened region in the wafer below a first of its faces and at a depth corresponding substantially to a thin-layer thickness, (b) detachment of a first thin layer from the wafer at the level of the first weakened region, the first thin layer being the part of the wafer lying on the side of the first weakened region next to the first face, (c) formation of a second weakened region in the wafer below the second of its faces and at a depth corresponding substantially to a thin-layer thickness (d) detachment of a second thin layer from the wafer at the level of the second weakened region, the second thin layer being the part of the wafer lying on the side of the first weakened region next to the second face. These steps are sequenced without an intermediate recycling step so as to save on the recycling operations. Application in particular to the production of semiconductor-on-insulator structures.
(FR)Un procédé de production de couches minces en un matériau choisi parmi les matériaux semi-conducteurs, à partir d'une tranche du type donneur, comporte les étapes successives suivantes: (a) formation d'une première région affaiblie dans la tranche, au-dessous d'une première face de celle-ci et à une profondeur correspondant sensiblement à une épaisseur de couche mince; (b) séparation d'une première couche mince de la tranche au niveau de la première région affaiblie, la première couche mince étant constituée par la partie de la tranche qui se trouve du côté de la première région affaiblie contigu à ladite première face; (c) formation d'une seconde région affaiblie dans la tranche, au-dessous de sa seconde face et à une profondeur correspondant sensiblement à une épaisseur de couche mince; (d) séparation d'une deuxième couche mince de la tranche au niveau de la seconde région affaiblie, la seconde couche mince étant constituée par la partie de la tranche qui se trouve du côté de la première région affaiblie contigu à la seconde face. Ces étapes sont appliquées séquentiellement sans faire intervenir d'étape de recyclage intermédiaire afin de réduire les opérations de recyclage. L'invention s'applique en particulier à la production de structures du type semi-conducteur-sur-isolant.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)