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1. (WO2005014889) DEPOSITION METHOD FOR NANOSTRUCTURE MATERIALS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/014889    International Application No.:    PCT/US2004/020150
Publication Date: 17.02.2005 International Filing Date: 24.06.2004
IPC:
C25D 15/00 (2006.01), H01J 9/02 (2006.01)
Applicants: THE UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA - CHAPEL HILL [US/US]; 308 Bynum Hall, Chapel Hill, NC 27599-4105 (US) (For All Designated States Except US).
OH, Soojin [KR/US]; (US) (For US Only).
ZHOU, Otto, Z. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: OH, Soojin; (US).
ZHOU, Otto, Z.; (US)
Agent: TYTRAN, Stephen, J.; Burns, Doane, Swecker & Mathis, LLP, P. O. Box 1404, Alexandria, VA 22313-1404 (US)
Priority Data:
10/615,842 10.07.2003 US
Title (EN) DEPOSITION METHOD FOR NANOSTRUCTURE MATERIALS
(FR) PROCEDE DE DEPOT DE MATERIAUX A NANOSTRUCTURE
Abstract: front page image
(EN)A method for depositing a patterned coating of a nanostructure material onto a substrate includes: (1) forming a solution or suspension of containing the nanostructure material; (2) masking at least a portion of at least one surface of the substrate (3) immersing electrodes in the solution, the substrate upon which the nanostructure material is to be deposited acting as one of the electrodes or is electrically connected to at least one electrode; (4) applying a direct and/or alternating current electrical field between the two electrodes for a certain period of time thereby causing the nanostructure materials in the solution to migrate toward and attach themselves to the substrate electrode; and (5) subsequent optional processing.
(FR)L'invention concerne un procédé de dépôt d'un revêtement à motifs d'un matériau à nanostructure sur un substrat. Le procédé consiste à: 1) à former une solution ou une suspension contenant le matériau à nanostructure; 2) masquer au moins une partie d'au moins une surface du substrat; 3) immerger des électrodes dans la solution, le substrat sur lequel la matériau à nanostructure doit être déposé agissant comme une des électrodes ou étant relié électriquement à au moins une électrode; 4) appliquer un champ électrique à courant continu et/ou alternatif entre les deux électrodes pendant une certaine durée, de façon à amener les matériaux à nanostructure de la solution à migrer vers l'électrode de substrat et à s'y fixer; et 5) effectuer un traitement subséquent facultatif.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)