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1. (WO2005013374) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/013374    International Application No.:    PCT/JP2003/009927
Publication Date: 10.02.2005 International Filing Date: 05.08.2003
IPC:
H01L 21/28 (2006.01)
Applicants: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 211-8588 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKAMURA, Makoto [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKAMURA, Makoto; (JP)
Agent: ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku, Tokyo 150-6032 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device having a gate insulating film made of a high dielectric material is manufactured with a good controllability of the etching of the gate insulating film. A method for manufacturing a semiconductor device in which a device is formed on a Si substrate, characterized by having a first step wherein an insulating film containing an oxide of Zr or Hf is formed on the Si substrate, a second step wherein a gate electrode film is formed on the insulating film, a third step wherein the gate electrode film is etched, a fourth step following the third step wherein the insulating film is subjected to a heat treatment in a halogen-containing treatment gas atmosphere, and a fifth step wherein the heat-treated insulating film is removed.
(FR)Cette invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteur comportant un film d'isolation de grille fabriqué en un matériau fortement diélectrique, ce dispositif étant produit avec une bonne aptitude à la régulation de la gravure du film d'isolation de grille. Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, dans lequel un dispositif est formé sur un substrat de Si, ce procédé se caractérisant en ce qu'il comprend une première étape dans laquelle un film isolant contenant un oxyde de Zr ou Hf est formé sur le substrat de Si, une seconde étape dans laquelle un film d'électrode de grille est formé sur le film isolant, une troisième étape dans laquelle le film d'électrode de grille est gravé, une quatrième étape suivant la troisième étape, dans laquelle le film isolant est soumis à un traitement thermique dans une atmosphère de gaz de traitement contenant de l'halogène, et une cinquième étape dans laquelle le film isolant traité thermiquement est retiré.
(JA)本発明は、高誘電体材料からなるゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造において、前記ゲート絶縁膜のエッチングの制御性を良好とすることを目的とする。 そのため、本発明ではSi基板上に素子が形成されてなる半導体装置の製造方法であって、前記Si基板上にZrまたはHfの酸化物を含む絶縁膜を形成する第1の工程と、前記絶縁膜上にゲート電極膜を形成する第2の工程と、前記ゲート電極膜をエッチングする第3の工程とを有し、前記第3の工程の後にハロゲンを含む処理ガス雰囲気中で前記絶縁膜を加熱処理する第4の工程と、前記加熱処理された前記絶縁膜を除去する第5の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
Designated States: JP, US.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)