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1. (WO2005013370) ANGLED PINNED PHOTODIODE FOR HIGH QUANTUM EFFICIENCY AND METHOD OF FORMATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/013370    International Application No.:    PCT/US2004/022752
Publication Date: 10.02.2005 International Filing Date: 15.07.2004
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way, Boise, ID 83707-0006 (US) (For All Designated States Except US).
RHODES, HOWARD, E. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: RHODES, HOWARD, E.; (US)
Agent: D'AMICO, Thomas, J.; Dickstein Shapiro Morin & Oshinsky LLP, 2101 L Street NW, Washington, DC 20037-1526 (US)
Priority Data:
10/629,679 30.07.2003 US
Title (EN) ANGLED PINNED PHOTODIODE FOR HIGH QUANTUM EFFICIENCY AND METHOD OF FORMATION
(FR) PHOTODIODE INCLINEE A COUCHE ANCREE ASSURANT UN RENDEMENT QUANTIQUE ELEVE ET PROCEDE DE FORMATION CORRESPONDANT
Abstract: front page image
(EN)A pinned photodiode with a surface layer of a first conductivity type laterally displaced from an electrically active area of a gate structure and a charge collection region of a second conductivity type formed by an angled implant is disclosed. The angle of the charge collection region implant may be tailored so that the charge collection region contacts an adjacent edge of the transfer gate of the pixel sensor cell and minimizes, therefore, the gate overlap region and an undesirable barrier potential.
(FR)La présente invention concerne une photodiode ancrée comportant une couche de surface ayant un premier type de conductivité qui est latéralement décalée d'une surface active du point de vue électrique d'une structure de gâchette et une région de collecte de la charge ayant un deuxième type de conductivité formée par un élément rapporté incliné. L'angle de l'élément rapporté de la région de collecte de la charge peut être spécifiquement conçu sur mesure de telle sorte que la région de collecte de la charge se trouve en contact avec un bord adjacent de la gâchette de transfert de la cellule du capteur de pixel, ce qui réduit ainsi au maximum, la région de chevauchement de la gâchette et un potentiel de barrière indésirable.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)