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1. (WO2005010620) A METHOD FOR DRYING DEVELOPED PHOTORESIST IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2005/010620    International Application No.:    PCT/US2003/020766
Publication Date: 03.02.2005 International Filing Date: 30.06.2003
IPC:
G03F 7/32 (2006.01), G03F 7/40 (2006.01)
Applicants: REYNOLDS, Reese, M. [US/US]; (US)
Inventors: REYNOLDS, Reese, M.; (US)
Priority Data:
Title (EN) A METHOD FOR DRYING DEVELOPED PHOTORESIST IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
(FR) PROCEDE DE SECHAGE DE RESINE PHOTOSENSIBLE DEVELOPPEE DANS LE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)Photoresist collapse in the development step of small feature size (135 nm and below) semiconductor wafer processing is eliminated by utilizing alcohol, with or without water in a mixture, at the step of removing developer and residual photoresist then drying the cleansing mixture.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant d'éviter un affaissement de la résine photosensible pendant l'opération de développement du traitement de tranches de semi-conducteur à caractéristiques de petite taille (inférieures ou égales à 135 nm), qui utilise de l'alcool avec ou sans eau dans un mélange, à l'étape d'élimination du révélateur et de la résine photosensible résiduelle, avec séchage ultérieur du mélange de nettoyage.
Designated States: CN, IL, JP, KR, SG, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)