Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2004105078) A HIGH DENSITY PLASMA REACTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2004/105078 International Application No.: PCT/CH2004/000300
Publication Date: 02.12.2004 International Filing Date: 18.05.2004
IPC:
H05H 1/46 (2006.01)
H ELECTRICITY
05
ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
H
PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY- CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
1
Generating plasma; Handling plasma
24
Generating plasma
46
using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Applicants:
HELYSSEN Sàrl [CH/CH]; c/o Philippe Guittienne 63, Avenue Montchoisi CH-1006 Lausanne, CH (AllExceptUS)
CHEVALIER, Eric [FR/FR]; FR (UsOnly)
GUITTIENNE, Philippe [FR/CH]; CH (UsOnly)
Inventors:
CHEVALIER, Eric; FR
GUITTIENNE, Philippe; CH
Agent:
ROLAND, André; Avenue Tissot 15 CH-1001 Lausanne, CH
Priority Data:
03405360.322.05.2003EP
Title (EN) A HIGH DENSITY PLASMA REACTOR
(FR) REACTEUR A PLASMA A HAUTE DENSITE
Abstract:
(EN) The high density RF plasma source of this invention uses a special antenna configuration to launch waves at frequency such as 13,56MHz. The antenna comprises several conductive loops around a common axis and spaced from each other along the axis. The loops are electrically connected by axial conductive segments, and each loop includes a plurality of serially connected capacitive elements. The tunability of this antenna allows to adapt actively the coupling of the RF energy (10) into an evolutive plasma as found in plasma processings in semiconductor manufacturing. This plasma source can be used for the following applications : plasma etching, deposition, sputtering systems, space propulsion, plasma - based sterilization , plasma abatement systems. In another embodiment, the plasma source is in conjunction with one or several process chambers , which comprise an array of magnets (14) and RF coils too (15, 16). These elements can be used, on one hand, for plasma confinement or the active plasma control (Plasma rotation ) thanks to feedback control approach , and one the other hand, for in situ NMR Monitoring or analysis such as moisture.
(FR) La source de plasma RF à haute densité de l'invention fait intervenir une configuration d'antenne spéciale pour émettre des ondes à une fréquence telle que 13, 56MHz. La syntonisation de cette antenne permet d'adapter activement le couplage de l'énergie RF dans un plasma évolutif tel que celui rencontré dans les traitements au plasma appliqués dans la fabrication des semi-conducteurs. Cette source de plasma peut servir dans les applications suivantes: gravure au plasma, dépôt, pulvérisation cathodique, propulsion spatiale, stérilisation au plasma, système d'assainissement au plasma, etc. Dans un autre mode de réalisation, la source de plasma est associée à une ou plusieurs chambres de traitement, comprenant un réseau d'aimants et de bobines. Ces éléments peuvent être utilisés, d'une part, pour le confinement d'un plasma ou le contrôle de plasma actif (par ex., rotation plasma) grâce à la méthode de commande de rétroaction, et d'autre part, pour l'analyse ou la surveillance à résonance nucléaire (RMN) in situ, par exemple la surveillance de l'humidité à l'intérieur de la chambre de traitement, avant ou après le traitement au plasma, ou pour une inspection RMN in situ des plaquettes ou autres pièces à travailler.
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
KR1020060040588EP1480250EP1627413JP2007511867US20070056515CN1809911