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1. (WO2004102670) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A FIELD SHAPING REGION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/102670    International Application No.:    PCT/IB2004/001527
Publication Date: 25.11.2004 International Filing Date: 06.05.2004
IPC:
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/73 (2006.01), H01L 29/732 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
HERINGA, Anco [NL/NL]; (GB) (For US Only).
HUETING, Raymond, J., E. [NL/GB]; (GB) (For US Only).
SLOTBOOM, Jan, W. [NL/NL]; (GB) (For US Only)
Inventors: HERINGA, Anco; (GB).
HUETING, Raymond, J., E.; (GB).
SLOTBOOM, Jan, W.; (GB)
Agent: WILLIAMSON, Paul, L.; c/o Philips Intellectual Property & Standards, Cross Oak Lane, Redhill Surrey RH1 5HA (GB)
Priority Data:
0310928.7 13.05.2003 GB
0324096.7 15.10.2003 GB
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A FIELD SHAPING REGION
(FR) DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS POURVUS D'UNE ZONE DE FORMATION DE CHAMP
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device, for example a diode (200), having a pn junction (101) has an insulating material field shaping region (201) adjacent, and possibly bridging, the pn junction. The field shaping region (201) preferably has a high dielectric constant and is coupled via capacitive voltage coupling regions (204,205) to substantially the same voltages as are applied to the pn junction. When a reverse voltage is applied across the pn junction (101) and the device is non-conducting, a capacitive electric field, is present in a part of the field shaping region which extends beyond a limit of the pn junction depletion region which would exist in the absence of the field shaping region (201), the electric field in the field shaping region inducing a stretched electric field limited to a correspondingly stretched pn junction depletion region (208,209) and an increased reverse breakdown voltage of the device.
(FR)Dispositif à semi-conducteur, par exemple une diode (200) à jonction PN (101) comprenant une zone de formation de champ à matériau isolant (201) adjacente, et éventuellement chevauchant la jonction PN. La zone de formation de champ (220) a de préférence une constante diélectrique élevée et est reliée par l'intermédiaire de zones de couplage de tension capacitives (204,205) à des tensions pratiquement les mêmes que celles qui sont appliquées à la jonction PN. Lorsqu'on applique une tension inverse à travers la jonction PN (101) et que le dispositif est non conducteur, un champ électrique capacitif se forme dans une partie de la zone de formation de champ qui s'étend au-delà d'une limite de la zone lacunaire de la jonction PN qui existerait en l'absence de la zone de formation de champ (201). Le champ électrique dans la zone de formation de champ provoque l'apparition d'un champ électrique étiré se limitant une zone lacunaire de formation de champ étirée correspondante (208,209), ainsi que l'apparition d'une tension inverse de claquage du dispositif.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)