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1. (WO2004102633) METHOD FOR FABRICATION OF SIGE LAYER HAVING SMALL POLY GRAINS AND RELATED STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/102633    International Application No.:    PCT/US2004/005506
Publication Date: 25.11.2004 International Filing Date: 25.02.2004
Chapter 2 Demand Filed:    07.10.2004    
IPC:
H01L 21/8249 (2006.01), H01L 31/0328 (2006.01)
Applicants: NEWPORT FAB, LLC DBA JAZZ SEMICONDUCTOR [US/US]; 4321 Jamboree Road, Newport Beach, CA 92660 (US)
Inventors: U'REN, Greg, D.; (US).
VO, Sy; (US)
Agent: FARJAMI, Michael; Farjami & Farjami LLP, Suite 360, 26522 La Alameda Avenue, Mission Viejo, CA 92691 (US)
Priority Data:
10/437,530 13.05.2003 US
Title (EN) METHOD FOR FABRICATION OF SIGE LAYER HAVING SMALL POLY GRAINS AND RELATED STRUCTURE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE SIGE A POLYGRAINS DE PETITES DIMENSIONS ET STRUCTURE ASSOCIEE
Abstract: front page image
(EN)A disclosed embodiment is a method for fabricating a SiGe layer, the method comprising depositing a silicon buffer layer (325, Fig. 3B) over a single crystalline region (306, Fig. 3B) and at least one isolation region (314, 316, Fig. 3B) at a first pressure, where the silicon buffer layer (325, Fig. 3B) is continuous, i.e. comprises small poly grains, over the at least one isolation region (314, 316, Fig. 3B). The method further includes forming a silicon germanium layer (327, Fig. 3C) over the silicon buffer layer (325, Fig. 3C) at a second pressure, where the silicon germanium layer (327, Fig. 3C) is also continuous, i.e. comprises small poly grains, over the at least one isolation region (314, 316, Fig. 3C). In one embodiment, the first pressure is less than the second pressure. In other embodiments, a structure is fabricated according to the above method.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche SiGe. Ce procédé consiste à déposer une couche silicium tampon sur une zone cristalline unique et sur au moins une zone d'isolation, à une première pression, la couche silicium tampon étant continue, à savoir constituée de polygrains de petites dimensions, sur la zone d'isolation au moins. Ledit procédé consiste également à former une couche silicium-germanium sur ladite couche silicium tampon, à une deuxième pression, la couche silicium-germanium étant également continue, à savoir constituée de polygrains de petites dimensions, sur ladite zone d'isolation au moins. Dans un mode de réalisation, la première pression est inférieure à la deuxième pression. Dans d'autres modes de réalisation, une structure est fabriquée par la mise en oeuvre dudit procédé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)