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1. (WO2004102624) UNITARY DUAL DAMASCENE PROCESS USING IMPRINT LITHOGRAPHY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/102624    International Application No.:    PCT/US2004/014251
Publication Date: 25.11.2004 International Filing Date: 07.05.2004
IPC:
B05D 3/00 (2006.01), B05D 3/06 (2006.01), B05D 3/12 (2006.01), G03F 7/00 (2006.01)
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (For All Designated States Except US).
RESNICK, Douglas, J. [US/US]; (US) (For US Only).
HECTOR, Scott, D. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: RESNICK, Douglas, J.; (US).
HECTOR, Scott, D.; (US)
Agent: KING, Robert, L.; Freescale Semiconductor, Inc., 7700 West Parmer Lane, MD: PL02, Austin, TX 78729 (US)
Priority Data:
10/434,614 08.05.2003 US
Title (EN) UNITARY DUAL DAMASCENE PROCESS USING IMPRINT LITHOGRAPHY
(FR) PROCEDE UNITAIRE DOUBLE DAMASCENE FAISANT APPEL A L'IMPRESSION LITHOGRAPHIQUE
Abstract: front page image
(EN)An exemplary method for using multi-tiered templates with imprint lithography for producing dual damascene features is disclosed as comprising the steps of inter alia: positioning (step 150) a multi-tiered lithographic template (130) in contact with a resist layer (120); applying pressure to the template (130) so that the resist material (120) flows into the relief pattern of the template (130) thereby forming a patterned resist layer (125); optionally curing the patterned resist layer (125); removing (step 160) the template (130) from the patterned resist layer (125); and etching (steps 170, 180) the patterned resist layer (125) to develop a via-and-trench pattern in the patterning layer (117). Disclosed features and specifications may be variously controlled, configured, adapted or otherwise optionally modified to further improve or otherwise optimize the fabrication of dual damascene or other multi-tiered structures.
(FR)L'invention concerne un procédé faisant appel à des gabarits à plusieurs étages avec impression lithographique pour produire des caractéristiques de double damascène, ce procédé comprenant notamment les étapes suivantes : positionnement (étape 150) d'un gabarit lithographique à plusieurs étages (130) en contact avec une couche de réserve (120) ; application de pression sur le gabarit (130) de sorte que la réserve (120) se répande dans les motifs en relief du gabarit (130) de façon à former une couche de réserve structurée (125) ; durcissement éventuel de la couche de réserve structurée (125) ; retrait (étape 160) du gabarit (130) de la couche de réserve structurée (125) ; et gravure (étapes 170, 180) de la couche de réserve structurée (125) pour former un réseau de trous d'interconnexion et de tranchées dans la couche structurante (117). Les caractéristiques et les spécifications selon l'invention peuvent être différemment définies, configurées, adaptées ou éventuellement modifiées pour améliorer davantage ou optimiser la fabrication de structures double damascène ou d'autres structures à plusieurs étages.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)