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1. (WO2004101861) ELECTROCHEMICAL FABRICATION METHODS WITH ENHANCED POST DEPOSITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/101861    International Application No.:    PCT/US2004/014190
Publication Date: 25.11.2004 International Filing Date: 07.05.2004
IPC:
C25D 1/00 (2006.01), C25D 5/02 (2006.01)
Applicants: UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA [US/US]; 3716 South Hope Street, Suite 313, Los Angeles, CA 90007 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: ZHANG, Gang; (US)
Agent: SMALLEY, Dennis, R.; Microfabrica Inc., 1103 West Isabel Street, Burbank, CA 91506 (US)
Priority Data:
10/434,294 07.05.2003 US
Title (EN) ELECTROCHEMICAL FABRICATION METHODS WITH ENHANCED POST DEPOSITION
(FR) PROCEDES DE FABRICATION ELECTROCHIMIQUE PRESENTANT UNE POST-DEPOSITION AMELIOREE
Abstract: front page image
(EN)An electrochemical fabrication process for producing three-dimensional structures from a plurality of adhered layers is provided where each layer comprises at least one structural material (e.g. nickel or nickel alloy) and at least one sacrificial material (e.g. copper) that will be etched away from the structural material after the formation of all layers have been completed. An etchant containing chlorite (e.g. Enthone C-38) is combined with a corrosion inhibitor (e.g. sodium nitrate) to prevent pitting of the structural material during removal of the sacrificial material. A simple process for drying the etched structure without the drying process causing surfaces to stick together includes immersion of the structure in water after etching and then immersion in alcohol and then placing the structure in an oven for drying.
(FR)Procédé de fabrication électrochimique servant à produire des structures tridimensionelles à partir d'une pluralité de couches adhérant les unes aux autres, chaque couche étant composée d'au moins un matériau de structure (par exemple, nickel ou alliage de nickel) et d'au moins un matériau sacrificiel (par exemple, cuivre) qui sera supprimé chimiquement du matériau de structure après formation de la totalité des couches. Un agent d'attaque chimique contenant chlorite (par exemple, Enthone C-38) est combiné à un inhibiteur de corrosion (par exemple, nitrate de sodium) afin d'empêcher le piquage de ce matériau de structure pendant la suppression du matériau sacrificiel. Procédé simple permettant de sécher la structure soumise à une attaque chimique sans provoquer l'adhérence des surfaces les unes aux autres, ce qui consiste à immerger la structure dans de l'eau après l'attaque chimique, puis à immerger dans de l'alcool et à placer cette structure dans un four afin de la sécher.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)