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1. (WO2004100272) ULTRA-HIGH CURRENT DENSITY THIN-FILM SI DIODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/100272    International Application No.:    PCT/US2003/014386
Publication Date: 18.11.2004 International Filing Date: 29.04.2003
IPC:
B32B 9/00 (2006.01), C23C 8/00 (2006.01), H01L 29/72 (2006.01)
Applicants: MIDWEST RESEARCH INSTITUTE [US/US]; 425 Volker Boulevard, Kansas City, MO 64110 (US) (For All Designated States Except US).
WANG, Qi [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: WANG, Qi; (US)
Agent: WHITE, Paul, J.; National Renewable Energy Laboratory, 1617 Cole Boulevard, Golden, CO 80401 (US)
Priority Data:
Title (EN) ULTRA-HIGH CURRENT DENSITY THIN-FILM SI DIODE
(FR) DIODE A SI EN COUCHE MINCE A DENSITE DE COURANT TRES ELEVEE
Abstract: front page image
(EN)A combination of a thin-film µc-Si and a-Si:H containing diode structure characterized by an ultra-high current density that exceeds 1000 A/cm2, comprising: a substrate; a bottom metal layer disposed on the substrate; an n-layer of µc-Si deposited the bottom metal layer; an i-layer of µc-Si deposited on the n-layer; a buffer layer of a-Si:H deposited on the i-layer; a p-layer of µc-Si deposited on the buffer layer; and a top metal layer deposited on the p-layer.
(FR)L'invention concerne une combinaison de $g(m)c-Si en couche mince et d'une structure de diode contenant du a-Si:H, se caractérisant par une densité de courant très élevée dépassant les 1000 A/cm2, comprenant : un substrat ; une couche métallique inférieure disposée sur le substrat ; une couche de type n de $g(m)c-Si déposée sur la couche métallique inférieure ; une couche de type i de $g(m)c-Si déposée sur la couche de type n ; une couche tampon de a-Si:H déposée sur la couche de type i ; une couche de type p de $g(m)c-Si déposée sur la couche tampon ; et une couche métallique supérieure déposée sur la couche de type p.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)