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1. (WO2004100238) MONOCRYSTALLINE DIAMOND LAYER AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/100238    International Application No.:    PCT/EP2004/004678
Publication Date: 18.11.2004 International Filing Date: 03.05.2004
IPC:
C30B 25/10 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: UNIVERSITÄT AUGSBURG [DE/DE]; Universitätsstrasse 1, 86159 Augsburg (DE) (For All Designated States Except US).
SCHRECK, Matthias [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GSELL, Stefan [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STRITZKER, Bernd [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: SCHRECK, Matthias; (DE).
GSELL, Stefan; (DE).
STRITZKER, Bernd; (DE)
Agent: PFENNING, MEINIG & PARTNER GbR; Mozartstrasse 17, 80336 München (DE)
Priority Data:
103 20 133.5 06.05.2003 DE
Title (DE) EINKRISTALLINE DIAMANTSCHICHT UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG
(EN) MONOCRYSTALLINE DIAMOND LAYER AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) COUCHE DE DIAMANT MONOCRISTALLINE ET PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(DE)Diese Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Diamantschichten mit geringer Fehlorientierung durch Abscheidung von Diamant auf einem Schichtsystem, wobei das Schichtsystem eine Substratschicht aus einkristallinem Silizium oder aus Siliziumcarbid, mindestens eine darauf angeordnete Pufferschicht sowie mindestens eine darauf angeordnete Metallschicht aus einem hochschmelzenden Metall aufweist, wobei der Diamant auf der mindestens einen Metallschicht abgeschieden wird.
(EN)The invention relates to a method for the production of diamond layers with low error orientation by depositing diamonds on a layer system. The layer system comprises a substrate layer made of monocrystalline silicon or silicon carbide, at least one buffer layer arranged thereon and at least one metal layer which is arranged thereon and which is made of a high-melting metal. The diamond is deposited on the at least one metal layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de couches de diamant présentant peu d'imperfections par dépôt de diamant sur un système de couches. Selon l'invention, ledit système de couches est composé d'une couche substrat constituée de silicium monocristallin ou de carbure de silicium ; d'au moins une couche tampon disposée sur la couche substrat ; et, d'au moins une couche métallique disposée sur la couche tampon, constituée d'un métal à point de fusion élevé, le diamant étant déposé sur la ou les couches métalliques.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)