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1. (WO2004099463) TOOL AND METHOD FOR THE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF A TWO-PHASE LAYER ON A SUBSTRATE MEMBER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/099463    International Application No.:    PCT/DE2004/000845
Publication Date: 18.11.2004 International Filing Date: 23.04.2004
IPC:
C23C 16/30 (2006.01), C23C 30/00 (2006.01)
Applicants: KENNAMETAL WIDIA PRODUKTIONS GMBH & CO. KG [DE/DE]; Münchener Strasse 125-127, 45145 Essen (DE) (For All Designated States Except US).
SOTTKE, Volkmar [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WESTPHAL, Hartmut [DE/DE]; (DE) (For US Only).
VAN DEN BERG, Hendrikus [NL/NL]; (NL) (For US Only)
Inventors: SOTTKE, Volkmar; (DE).
WESTPHAL, Hartmut; (DE).
VAN DEN BERG, Hendrikus; (NL)
Agent: VOMBERG, Friedhelm; Schulstrasse 8, 42653 Solingen (DE)
Priority Data:
103 20 652.3 07.05.2003 DE
10 2004 010 594.4 02.03.2004 DE
Title (DE) WERKZEUG UND VERFAHREN ZUR CVD-ABSCHEIDUNG EINER ZWEIPHASIGEN SCHICHT AUF EINEM SUBSTRATKÖRPER
(EN) TOOL AND METHOD FOR THE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF A TWO-PHASE LAYER ON A SUBSTRATE MEMBER
(FR) OUTIL ET PROCEDE POUR REALISER UN DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR D'UNE COUCHE A DEUX PHASES SUR UN SUBSTRAT
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Werkzeug, insbesondere Schneidwerkzeug, bestehend aus einem Substratkörper, auf dem mindestens eine Schicht mittels CVD abgeschieden ist, und ein Verfahren zur CVD-Abscheidung einer zweiphasigen Schicht auf einem Sinterkörper. Erfindungsgemäß weist die einzige abgeschiedene Schicht oder mindestens eine der Schichten neben einer TiCN- oder einer TiOCN- oder TiOC- oder einer TiC-Phase eine weitere Phase, bestehend aus ZrO2 und/oder HfO2 auf. Zur Herstellung einer solchen Schicht werden in der Gasatmosphäre neben TiCl4, HfCl4 und/oder ZrCl4 und CO2 zusätzlich CH3CN oder C5H5N oder C6H6, Rest H2 und/oder Ar verwendet.
(EN)The invention relates to a tool, especially a cutting tool, comprising a substrate member onto which at least one layer is deposited by means of CVD, and a method for the chemical vapor deposition of a two-phase layer on a sintered part. According to the invention, the single deposited layer or at least one of the layers is provided with a TiCN phase, TiOCN phase, TiOC phase, or TiC phase and an additional phase consisting of ZrO2 and/or HfO2. CH3CN, C5H5N, or C6H6 is used in the gas atmosphere for producing such a layer in addition to TiCl4, HfCl4, and/or ZrCl4 and CO2, the remainder being composed of H2 and/or Ar.
(FR)L'invention concerne un outil, notamment un outil de coupe, constitué d'un substrat sur lequel est déposé au moins une couche selon un procédé de dépôt chimique en phase vapeur. L'invention concerne également un procédé pour réaliser un dépôt chimique en phase vapeur d'une couche à deux phases sur un corps fritté. Selon l'invention, la seule couche ou au moins une des couches présente, outre une phase TiCN ou TiOCN ou TiOC ou TiC, une autre phase constituée de ZrO2 et/ou de HfO2. Pour produire une telle couche, on utilise dans l'atmosphère gazeuse non seulement du TiCl4, du HfCl4 et/ou du ZrCl4 et du CO2, mais aussi du CH3CN ou du C5H5N ou du C6H6, un reste H2 et/ou du Ar.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)