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1. (WO2004099080) PRODUCTION OF HIGH-PURITY NIOBIUM MONOXIDE AND CAPACITOR PRODUCTION THEREFROM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/099080    International Application No.:    PCT/US2004/013670
Publication Date: 18.11.2004 International Filing Date: 29.04.2004
Chapter 2 Demand Filed:    02.12.2004    
IPC:
C01G 33/00 (2006.01)
Applicants: MOTCHENBACHER, Charles, A. [US/US]; (US).
ROBISON, James, W. [US/US]; (US).
HIGGINS, Brian, J. [US/US]; (US).
FONTVILLE, Thomas, J. [US/US]; (US)
Inventors: MOTCHENBACHER, Charles, A.; (US).
ROBISON, James, W.; (US).
HIGGINS, Brian, J.; (US).
FONTVILLE, Thomas, J.; (US)
Agent: GOULD, Lewis, F.; Duane, Morris LLP, One Liberty Place, Philadelphia, PA 19103 (US)
Priority Data:
10/428,430 02.05.2003 US
Title (EN) PRODUCTION OF HIGH-PURITY NIOBIUM MONOXIDE AND CAPACITOR PRODUCTION THEREFROM
(FR) PRODUCTION DE MONOXYDE DE NIOBIUM DE GRANDE PURETE ET CONDENSATEUR PRODUIT A PARTIR DE CELUI-CI
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to high-purity niobium monoxide powder (NbO) produced by a process of combining a mixture of higher niobium oxides and niobium metal powder or granules; heating and reacting the compacted mixture under controlled atmosphere to achieve temperature greater than about 1945° C, at which temperature the NbO is liquid; solidifying the liquid NbO to form a body of material; and fragmenting the body to form NbO particles suitable for application as capacitor anodes. The NbO product is unusually pure in composition and crystallography, and can be used for capacitors and for other electronic applications. The method of production of the NbO is robust, does not require high-purity feedstock, and can reclaim value from waste streams associated with the processing of NbO electronic components. The method of production also can be used to make high-purity NbO2 and mixtures of niobiurn metal/niobium. monoxide and niobium monoxide/niobium dioxide. The method further is ideal for doping of the product oxides to enhance particular characteristics of the materials. The method further allows the production of single crystal or directionally-solidified ingots. In contrast to the spongy, highly porous agglomerates produced by other techniques, the present invention produces solid, non-porous ingots that can be fragmented to fine, non-porous angular particles suitable for electronic applications.
(FR)Cette invention concerne une poudre de monoxyde de niobium (NbO) de grande pureté produite au moyen d'un procédé consistant à combiner un mélange composé d'oxydes de niobium supérieurs et de poudre ou de granules de niobium métallique ; à chauffer et à faire réagir le mélange compacté sous atmosphère contrôlée afin qu'on obtienne une température supérieure à environ 1945 °C, température à laquelle le NbO est liquide ; à solidifier le NbO liquide afin qu'un corps de matière soit formé ; et à fragmenter ce corps afin qu'on obtienne des particules de NbO pouvant être utilisées comme anodes de condensateur. Le produit de NbO présente une composition et une cristallographie exceptionnellement pures et peut être utilisé pour des condensateurs et autres applications électroniques. Le procédé de production de ce NbO est robuste, ne nécessite pas un produit de départ de grande pureté et peut récupérer une valeur à partir de flux de déchets associés au traitement de composants électroniques en NbO. Ce procédé de production peut également être utilisé pour produire du NbO2 de grande pureté ainsi que des mélanges de niobium métallique/monoxyde de niobium et de monoxyde de niobium/dioxyde de niobium. Ce procédé se révèle par ailleurs idéal pour le dopage des oxydes du produit servant à renforcer certaines caractéristiques des matériaux. Ce procédé permet également de produire des lingot à monocristal ou à solidification directionnelle. Contrairement aux agrégats spongieux et hautement poreux produits par d'autres techniques, la présente invention produit des lingots solides non poreux qui peuvent être fragmentés en fines particules angulaires non poreuses pouvant être utilisées dans des applications électroniques.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)