WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2004099064) ANTI-REFLECTIVE SUB-WAVELENGH STRUCTURES FOR SILICON WAFERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/099064    International Application No.:    PCT/US2004/012088
Publication Date: 18.11.2004 International Filing Date: 19.04.2004
IPC:
G02B 1/11 (2006.01), G02B 5/18 (2006.01)
Applicants: RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street, Waltham, MA 02451 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: SYLLAIOS, Athanasios, J.; (US).
GOOCH, Roland, W.; (US).
SCHIMERT, Thomas, R.; (US).
MEISSNER, Edward, G.; (US)
Agent: JOHNSON, Jay, B.; Baker Botts L.L.P., 2001 Ross Avenue, Suite 600, Dallas, TX 75201 (US)
Priority Data:
10/428,745 02.05.2003 US
Title (EN) ANTI-REFLECTIVE SUB-WAVELENGH STRUCTURES FOR SILICON WAFERS
(FR) STRUCTURES DE SOUS-LONGUEURS D'ONDES ANTI-REFLECHISSANTES POUR PLAQUETTES DE SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)Certain MEMS devices require a vacuum environment in order to obtain maximum performance. The vacuum package also provides protection in an optimal operating environment for the MEMS device. Examples of these MEMS devices are infrared MEMS such as bolometers that in addition may require an optically transparent cover, or lid structure. These devices wafer lids are often coated with an anti-reflective coating to reduce the reflectives properties and increase the optical transmission properties of the device wafer lid. Another method for increasing the optical transmission characteristics of a device wafer lid is to provide a method for etching sub wavelenght structures ( i.e. periodic diffraction structures ) on one or both surfaces of a device wafer lid prior to mating a lid wafer with a device wafer.
(FR)Selon l'invention, certains dispositifs MEMS nécessitent un environnement sous vide de manière à obtenir un rendement maximum. Le boîtier sous vide assure également une protection dans un environnement d'exploitation optimal pour le dispositif MEMS. Parmi les exemples desdits dispositifs MEMS, on trouve des MEMS à infrarouges tels que des bolomètres qui, de plus, peuvent nécessiter un couvercle optiquement transparent ou structure de couvercle. Lesdits couvercles de plaquette de dispositif sont souvent revêtus d'un revêtement anti-réfléchissant afin de réduire les propriétés réfléchissantes et d'augmenter les propriétés de transmission optique du capot de plaquette de dispositif. Un autre procédé d'augmentation des caractéristiques de transmission optique d'un couvercle de plaquette de dispositif consiste à utiliser un procédé d'attaque chimique de structures de sous-longueurs d'ondes (c'est-à-dire, de structures de diffraction périodique) sur une surface ou sur les deux surfaces d'un couvercle de plaquette de dispositif avant d'accoupler une plaquette de couvercle avec une plaquette de dispositif.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)