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1. (WO2004097951) METHOD FOR MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL ELECTRONIC DEVICE MADE OR ANISOTROPIC MATERIAL TO BE PROCESSED AND ITS MANUFACTURING APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/097951    International Application No.:    PCT/JP2000/000280
Publication Date: 11.11.2004 International Filing Date: 21.01.2000
IPC:
H01L 39/24 (2006.01)
Applicants: YAMASHITA, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KIM, Sang-Jae [KR/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YAMASHITA, Tsutomu; (JP).
KIM, Sang-Jae; (JP)
Agent: SHIMIZU, Mamoru; Ohzono Building, 7-10, Kanda-mitoshiro-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0053 (JP)
Priority Data:
11/16491 26.01.1999 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING THREE-DIMENSIONAL ELECTRONIC DEVICE MADE OR ANISOTROPIC MATERIAL TO BE PROCESSED AND ITS MANUFACTURING APPARATUS
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE TRIDIMENSIONNEL FABRIQUE A PARTIR D'UNE MATIERE ANISOTROPE A TRAITER ET APPAREIL DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 異方性被加工材料を用いた立体的電子素子の製造方法及びその製造装置
Abstract: front page image
(EN)A method and apparatus for manufacturing a three-dimensional electronic device made of a high-temperature superconductor capable of manufacturing a single electron tunnel device and an intrinsic Josephson device having a layered structure specific to high-temperature superconductor by side-face etching and by small area etching without any restriction on the surface properties of the single crystal and thin film. While a substrate holder is being rotated about 360° (at least about 90°), a single crystal and a thin film on the substrate is etched from side by a focused ion beam, allowing a device to be manufactured. After forming a bridge of a junction length by a focused ion beam etching of the single crystal and thin film from above, the specimen is rotated about 90° (270°), and multilayard current path layer is formed by side-face etching. Further, the junction length is precisely controlled by measuring the current path length of the image on the screen.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil de fabrication d'un dispositif électronique tridimensionnel à partir d'un superconducteur à haute température permettant la fabrication d'un dispositif à tunnel à un électron et un dispositif de Josephson intrinsèque possédant une structure revêtue spécifique au superconducteur à haute température par gravure des surfaces latérales et par gravure de petites zones sans aucune restriction sur les propriétés de surface d'un cristal unique et d'un film mince. Lors de la rotation à 360° (au moins environ 90°) d'un support de substrat, un cristal unique et un film mince se trouvant sur ce substrat sont gravés à partir du côté par un faisceau ionique focalisé, ce qui permet au dispositif d'être fabriqué. Après formation d'un pont d'une longueur de connexion par gravure par faisceau ionique focalisé d'un cristal unique et d'un film mince par le haut, l'échantillon est mis en rotation à d'environ 90° (270°) et une couche de trajectoire de courant à couches multiples est formée par gravure de la surface latérale. Enfin, la longueur de connexion est précisément contrôlée par mesure de la longueur de la trajectoire de courant de l'image sur l'écran.
(JA)not available
Designated States: US.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)