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1. (WO2004097948) LIGHT-EMITTING DEVICE AND LIGHT-EMITTING DEVICE MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/097948    International Application No.:    PCT/JP2004/004420
Publication Date: 11.11.2004 International Filing Date: 29.03.2004
IPC:
H01L 33/10 (2010.01), H01L 33/30 (2010.01), H01L 33/34 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/40 (2010.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO. LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1000005 (JP) (For All Designated States Except US).
HAGIMOTO, Kazunori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IKEDA, Jyun [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKAHASHI, Masanobu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMADA, Masato [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HAGIMOTO, Kazunori; (JP).
IKEDA, Jyun; (JP).
TAKAHASHI, Masanobu; (JP).
YAMADA, Masato; (JP)
Agent: SUGAWARA, Seirin; SUGAWARA & ASSOCIATES, Sakae Yamakichi Bldg., 9-30, Sakae 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600008 (JP)
Priority Data:
2003-123379 28.04.2003 JP
2003-155921 30.05.2003 JP
Title (EN) LIGHT-EMITTING DEVICE AND LIGHT-EMITTING DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF LUMINESCENT ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
(JA) 発光素子及び発光素子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A light-emitting device (100) in which between a compound semiconductor layer (60) and a main metal layer (10), a contact metal layer (32) is disposed to reduce the contact resistance between the main metal layer (10) and the compound semiconductor layer (60). In the compound semiconductor layer (60), the region between the contact metal layer (32) and a light-emitting layer section (24) is transparent to the light emitted from the light-emitting layer section (24) and serves as a diffusion blocking semiconductor layer (25) to suppress diffusion of components from the contact metal layer (32) to the light-emitting layer section (24). If the diffusion blocking semiconductor layer (25) is made of AlGaAs, it produces an effect of suppressing the diffusion of Ge, Ni, and Au from the contact metal layer (32) to the light-emitting layer section (24). Thus, even if a contact layer of a light-emitting device in which a device substrate is joined to a light-emitting layer section through a contact metal layer and a reflection metal layer is subjected to alloying heating treatment, the diffusion of components from the contact metal layer hardly influences the light-emitting layer section.
(FR)L'invention concerne un dispositif (100) luminescent, dans lequel une couche (32) métallique de contact est disposée entre une couche (60) à semi-conducteurs et une couche (10) métallique principale, de façon à réduire la résistance au contact entre la couche métallique (10) principale et la couche (60) à semi-conducteurs. Dans la couche (60) à semi-conducteurs, la région entre la couche (32) métallique de contact et la partie (24) de couche luminescente est transparente à la lumière émise par la partie (24) de la couche luminescente et cette région est utilisée en tant que couche (25) à semi-conducteurs de blocage de diffusion, de manière à supprimer la diffusion des composants de la couche (32) métallique de contact vers la partie (24) de couche luminescente. Si la couche (25) à semi-conducteurs de blocage de la diffusion est composée de AlGaAs, elle produit un effet de suppression de la diffusion de Ge, Ni et Au de la couche (32) métallique de contact sur la partie (24) de la couche luminescente. Ainsi, même si la couche de contact du dispositif luminescent, dans lequel le substrat d'un dispositif est ajouté à une partie de couche luminescente, par l'intermédiaire d'une couche métallique de contact et d'une couche métallique de réflexion, est soumise à un traitement thermique d'alliage, la diffusion des composants de la couche métallique de contact influencent la partie de la couche luminescente.
(JA) 発光素子100において、化合物半導体層60と主金属層10との間に、該主金属層10と化合物半導体層60との接触抵抗を減ずるためにコンタクト金属層32が配置されている。そして、化合物半導体層60の、コンタクト金属層32と発光層部24との間に位置する部分が、発光層部24からの発光光束に対して透光性を有し、かつ、コンタクト金属層32から発光層部24への成分拡散を抑制する拡散ブロック用半導体層25とされている。拡散ブロック用半導体層25をAlGaAsで構成すると、コンタクト金属層32から発光層部24へのGe、Ni及びAuの拡散抑制に効果がある。これにより、コンタクト金属層及び反射用の金属層を介して素子基板を発光層部に結合した発光素子において、コンタクト金属層の合金化熱処理を行っても、該コンタクト金属層からの成分拡散の影響が発光層部に及びにくい発光素子を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)