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1. (WO2004097923) METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/097923    International Application No.:    PCT/JP2003/005506
Publication Date: 11.11.2004 International Filing Date: 30.04.2003
IPC:
H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 211-8588 (JP) (For All Designated States Except US).
TAKIGAWA, Yukio [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHIMIZU, Noriyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUZUKI, Toshiya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAWABE, Hajime [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TAKIGAWA, Yukio; (JP).
SHIMIZU, Noriyoshi; (JP).
SUZUKI, Toshiya; (JP).
KAWABE, Hajime; (JP)
Agent: KOKUBUN, Takayoshi; 5th Floor, Ikebukuro TG Homest Building, 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome, Toshima-ku, Tokyo 170-0013 (JP)
Priority Data:
Title (EN) METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)An SiC film (4), an SiO2 film (5) and a silicon nitride film (6) are formed sequentially on an organic low permittivity film (3) and then the surface of the silicon nitride film (6) is subjected to O2 plasma processing thus forming an oxide layer (7) on the surface of the silicon nitride film (6). Subsequently, a wiring trench pattern is formed on the silicon nitride film (6) and the oxide layer (7) thus forming a resin layer (10) having a pattern of via hole. Thereafter, the oxide layer (7) exposed from the resin layer (10) is removed along with unnecessary particles.
(FR)Selon l'invention, un film SiC (4), un film SiO2 (5) et un film de nitrure de silicium (6) sont formés de façon séquentielle sur un film organique à faible permittivité (3), puis la surface du film de nitrure de silicium (6) est soumise à un traitement par plasma O2 de sorte qu'une couche d'oxyde (7) soit formée sur ladite surface. Un motif de tranchée de câblage est ensuite formé sur le film de nitrure de silicium (6) et la couche d'oxyde (7) de façon à obtenir une couche de résine (10) présentant un motif de trou d'interconnexion. La couche d'oxyde (7) dégagée de la couche de résine (10) est alors éliminée avec les particules indésirables.
(JA) 有機低誘電率膜(3)上に、SiC膜(4)、SiO膜(5)及びシリコン窒化膜(6)を順次形成した後、シリコン窒化膜(6)の表面に対してOプラズマ処理を施すことにより、シリコン窒化膜(6)の表面に酸化物層(7)を形成する。その後、シリコン窒化膜(6)及び酸化物層(7)に配線溝用のパターンを形成し、ビアホールのパターンが形成された樹脂層(10)を形成する。そして、酸化物層(7)の樹脂層(10)から露出している部分を除去することにより、不要なパーティクルも除去する。
Designated States: JP, US.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)