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1. (WO2004097915) DROPLET DISCHARGING DEVICE, METHOD FOR FORMING PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/097915    International Application No.:    PCT/JP2004/005393
Publication Date: 11.11.2004 International Filing Date: 15.04.2004
IPC:
H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi Kanagawa 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKAMURA, Osamu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMAZAKI, Shunpei [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKAMURA, Osamu; (JP).
YAMAZAKI, Shunpei; (JP)
Priority Data:
2003-121638 25.04.2003 JP
Title (EN) DROPLET DISCHARGING DEVICE, METHOD FOR FORMING PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DECHARGE DE GOUTTELETTES, PROCEDE DE FORMATION DE MOTIFS ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 液滴吐出装置、パターンの形成方法、および半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A method for forming a pattern is disclosed which enables to improve position control of a droplet landed on a substrate which droplet is discharged from a droplet discharging device. A droplet discharging device which is improved in accuracy of droplet position after landing is also disclosed. A method for manufacturing a semiconductor device using such a droplet discharging device is further disclosed. The method for forming a pattern is characterized in that a droplet discharged from a discharge unit or a substrate onto which the droplet lands is irradiated with laser light, thereby controlling a droplet landing position. With this method, a pattern can be formed without using a photolithography process.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de former un motif qui sert à améliorer une commande de position d'une gouttelette reçue sur un substrat, cette gouttelette étant déchargée à partir d'un dispositif de décharge de gouttelettes. L'invention concerne également un dispositif de décharge de gouttelettes amélioré en ce que la position d'une gouttelette est précise une fois que le substrat l'a reçue. L'invention concerne enfin un procédé permettant de produire un dispositif à semi-conducteur tel qu'un dispositif de décharge de gouttelettes. Un procédé de formation de motif est caractérisé en ce qu'une gouttelette déchargée d'une unité de décharge ou d'un substrat sur lequel les gouttelettes reçues sont irradiées à l'aide d'une lumière laser, ce qui permet de commander une position de réception de gouttelette. Du fait de ce procédé, il est possible de former un motif sans avoir recours à un procédé de photolitographie.
(JA)本発明では液滴吐出装置から吐出された液滴が基板に着弾した後の位置制御を改善することが可能なパターンの作製方法を提供する。また着弾後の液滴位置精度を改善することが可能な液滴吐出装置を提供する。更には、本発明の液滴吐出装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 本発明は、吐出部から吐出された液滴、又は液滴を着弾する基板にレーザ光を照射して、液滴の着弾位置を制御することを特徴とする。本発明によりフォトリソグラフィー工程を用いることなくパターンを形成することが可能である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)