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1. (WO2004096451) METHOD FOR FORMING PATTERN AND DROPLET DISCHARGING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/096451    International Application No.:    PCT/JP2004/005391
Publication Date: 11.11.2004 International Filing Date: 15.04.2004
IPC:
B05B 17/06 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi Kanagawa 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
MAEKAWA, Shinji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMAZAKI, Shunpei [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MAEKAWA, Shinji; (JP).
YAMAZAKI, Shunpei; (JP)
Priority Data:
2003-120949 25.04.2003 JP
Title (EN) METHOD FOR FORMING PATTERN AND DROPLET DISCHARGING DEVICE
(FR) PROCEDE PERMETTANT DE FORMER UN MOTIF ET DISPOSITIF DE DECHARGE DE GOUTTELETTES
(JA) パターンの作製方法及び液滴吐出装置
Abstract: front page image
(EN)A method for forming a pattern is characterized by comprising a step wherein a liquid repellent thin film such as a semiconductor film on an insulating substrate such as a glass substrate is selectively provided with lyophilicity by a plasma-generating means (102) and a droplet composition is discharged on the lyophilic surface by using a droplet discharging means (103), thereby forming a pattern. By interposing the selectively formed lyophilic region between liquid repellent regions, the droplet does not move from the position where it has landed.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de former un motif, caractérisé en ce qu'il consiste en une étape dans laquelle un film mince repoussant les liquides, tel qu'un film semi-conducteur placé sur un substrat isolant, notamment un substrat en verre, est sélectivement doté d'une aptitude à la lyophilisation au moyen d'un organe de génération de plasma (102); et en ce qu'une composition de gouttelettes est déchargée sur la surface lyophile par utilisation d'un organe de décharge de gouttelettes (103), ce qui permet de former un motif. Par interposition de la région lyophile sélectivement formée entre des régions repoussant les liquides, les gouttelettes de bougent pas de la position où elles ont été déchargées.
(JA)本発明は、絶縁性を有する基板、例えばガラス基板上に撥液性の薄膜、例えば半導体膜に選択的にプラズマを発生する手段102によって親液性にし、前記親液性表面に、液滴吐出手段103により液滴組成物を吐出して、パターンを作製する工程を含むことを特徴とする。選択的に形成した親液性領域を撥液性で挟むことで、着弾後の液滴は着弾位置から移動せず形成することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)