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1. (WO2004095591) LIGHT-EMITTING DIODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/095591    International Application No.:    PCT/JP2004/005853
Publication Date: 04.11.2004 International Filing Date: 23.04.2004
Chapter 2 Demand Filed:    11.11.2004    
IPC:
H01L 33/02 (2010.01), H01S 5/30 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01)
Applicants: HOYA CORPORATION [JP/JP]; 7-5, Naka-Ochiai 2-chome Shinjuku-ku, Tokyo 161-8525 (JP) (For All Designated States Except US).
KAWAZOE, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ORITA, Masahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YANAGITA, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOBAYASHI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KAWAZOE, Hiroshi; (JP).
ORITA, Masahiro; (JP).
YANAGITA, Hiroaki; (JP).
KOBAYASHI, Satoshi; (JP)
Agent: HAGIHARA, Makoto; Third Watanabe Bldg. 9th Floor 1-33, Shiba 2-chome Minato-ku, Tokyo 105-0014 (JP)
Priority Data:
2003-119065 23.04.2003 JP
Title (EN) LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) DIODE ELECTROLUMINESCENTE
(JA) 発光ダイオード
Abstract: front page image
(EN)A light-emitting diode with high luminous efficiency is disclosed which is free from deformation or defect of crystal caused by a dopant. The light-emitting diode emits no light of unnecessary wavelengths and has a wide selection of emission wavelengths. The light-emitting diode comprises a light-emitting layer composed of an ambipolar semiconductor containing no dopant, and an electron implanting electrode, namely an n electrode and a hole implanting electrode, namely a p electrode joined to the light-emitting layer.
(FR)La présente invention concerne une diode électroluminescente qui présente un rendement lumineux élevé et dont le cristal ne présente aucune déformation ni aucun défaut provoqué par un dopant. Cette diode électroluminescente n'émet aucune lumière de longueurs d'onde non nécessaires et elle possède une large plage de longueurs d'onde d'émission. Cette diode électroluminescente comporte une couche électroluminescente composée d'un semi-conducteur ambipolaire ne contenant aucun dopant, et une électrode d'implantation d'électrons, à savoir une électrode n, et une électrode d'implantation de trous, à savoir une électrode p, assemblées à la couche électroluminescente.
(JA)not available
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)