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1. (WO2004095587) METAL CONTACT STRUCTURE FOR SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/095587    International Application No.:    PCT/US2004/006729
Publication Date: 04.11.2004 International Filing Date: 03.03.2004
IPC:
H01L 31/00 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: SUNPOWER CORPORATION [US/US]; 430 Indio Way, Sunnyvale, CA 94085 (US) (For All Designated States Except US).
MULLIGAN, William, P. [US/US]; (US) (For US Only).
CUDZINOVIC, Michael, J. [US/US]; (US) (For US Only).
PASS, Thomas [US/US]; (US) (For US Only).
SMITH, David [US/US]; (US) (For US Only).
SWANSON, Richard, M. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: MULLIGAN, William, P.; (US).
CUDZINOVIC, Michael, J.; (US).
PASS, Thomas; (US).
SMITH, David; (US).
SWANSON, Richard, M.; (US)
Agent: WOODWARD, Henry, K.; Beyer Weaver & Thomas, LLP, P.O. Box 70250, Oakland, CA 94612-0250 (US)
Priority Data:
10/412,711 10.04.2003 US
Title (EN) METAL CONTACT STRUCTURE FOR SOLAR CELL AND METHOD OF MANUFACTURE
(FR) STRUCTURE DE CONTACT METALLIQUE POUR UNE CELLULE SOLAIRE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)In a solar cell having p doped regions and n doped regions alternately formed in a surface of a semiconductor wafer in offset levels through use of masking and etching techniques, metal contacts are made to the p regions and n regions by first forming a base layer contacting the p doped regions and n doped regions which functions as an antireflection layer, and then forming a barrier layer, such as titanium tungsten or chromium, and a conductive layer such as copper over the barrier layer. Preferably the conductive layer is a plating layer and the thickness thereof can be increased by plating.
(FR)Dans une cellule solaire ayant des zones dopées p et des zones dopées n formées en alternance dans la surface d'une plaquette semi-conductrice à des niveaux décalés en utilisant des techniques de masquage et de gravure, on réalise des contacts métalliques avec les zones p et les zones n en réalisant d'abord une couche de base établissant le contact avec les zones dopées p et les zones dopées n et fonctionnant comme une couche antiréfléchissante, puis en réalisant une couche barrière, par exemple en titane-tungstène ou en chrome, et une couche conductrice, en cuivre par exemple, au-dessus de la couche barrière. Selon l'invention, la couche conductrice est de préférence une couche de placage dont l'épaisseur peut être augmentée par électrodéposition.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)