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1. (WO2004095584) BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/095584    International Application No.:    PCT/EP2004/050335
Publication Date: 04.11.2004 International Filing Date: 19.03.2004
IPC:
H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/732 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
BÖCK, Josef [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MEISTER, Thomas [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STENGL, Reinhard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHÄFER, Herbert [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: BÖCK, Josef; (DE).
MEISTER, Thomas; (DE).
STENGL, Reinhard; (DE).
SCHÄFER, Herbert; (DE)
Agent: KINDERMANN, Peter; Patentanwälte Kindermann, P.O. Box 100234, 85593 Baldham (DE)
Priority Data:
103 18 422.8 23.04.2003 DE
Title (DE) BIPOLARTRANSISTOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN
(EN) BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE ET PROCEDE DE FABRICATION DUDIT TRANSISTOR
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen Hochfrequenz-Bipolartransistor (1), bestehend aus zumindest einem Emitterkontakt (2), der an einen Emitteranschlussbereich (3) angrenzt, einem Basiskontakt (4), der an einem Basisanschlussbereich (5) angrenzt, einem Kollektorkontakt (6), der an einen Kollektoranschlussbereich (7) angrenzt, wobei als Kollektoranschlussbereich eine vergrabene Schicht (7) vorgesehen ist, die den Kollektorkontakt (6) mit einem Kollektorgebiet (14) verbindet. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung solch eines (15) Hochfrequenz-Bipolartransistors (1). Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass eine Silizidregion (8) auf der vergrabenen Schicht (7) vorgesehen ist, die den Kollektorkontakt (6) niederohmig an das Kollektorgebiet (14) anschliesst.
(EN)The invention relates to a high-frequency-bipolar transistor (1) comprising at least one emitter contact (2) which borders on an emitter connection area (3), a base contact (4) which borders with a base connection area (5), a collector contact (6) which borders with a collector connection area (7). A buried layer (7) is provided as a collector connection area which joins the collector contact (6) to a collector area (14). The invention also relates to a method of production of one such (15) high-frequency bipolar transistor (1). The invention is characterised in that a silicide region (8) is provided on the buried layer (7), said silicide region connecting the collector contact (6) to the collector area (14) in a low-resistant manner
(FR)L'invention concerne un transistor bipolaire haute fréquence (1), composé d'au moins un contact d'émetteur (2) adjacent à une zone de connexion d'émetteur (3), d'un contact de base (4) adjacent à une zone de connexion de base (5), d'un contact de collecteur (6) adjacent à une zone de connexion de collecteur (7). Selon cette invention, une couche enterrée (7) fait office de zone de connexion de collecteur, laquelle couche relie le contact de collecteur (6) à une zone de collecteur (14). Ladite invention concerne également un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire haute fréquence de ce type (1). Cette invention se caractérise en ce qu'une zone de siliciure (8) est formée sur la couche enterrée (7), laquelle zone connecte à basse impédance le contact de collecteur (6) à la zone de collecteur (14).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)