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1. (WO2004095560) SEMICONDUCTOR PRODUCING DEVICE AND SEMICONDUCTOR PRODUCING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/095560    International Application No.:    PCT/JP2004/004539
Publication Date: 04.11.2004 International Filing Date: 30.03.2004
IPC:
H01L 21/00 (2006.01)
Applicants: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-20 Higashi-Nakano 3-chome Nakano-ku, Tokyo 164-8511 (JP) (For All Designated States Except US).
KASANAMI, Katsuhisa [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MIYATA, Toshimitsu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ISHISAKA, Mitsunori [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KASANAMI, Katsuhisa; (JP).
MIYATA, Toshimitsu; (JP).
ISHISAKA, Mitsunori; (JP)
Agent: KAJIWARA, Tatsuya; I-201, Central Nishi-Shinjuku 9-5, Nishi-Shinjuku 8-chome Shinjuku-ku, Tokyo 160-0023 (JP)
Priority Data:
2003-113738 18.04.2003 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR PRODUCING DEVICE AND SEMICONDUCTOR PRODUCING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE DE PRODUCTION SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A cylindrical electrode (215) and a cylindrical magnet (216) are installed outside a processing furnace (202) for an MMT device, and a susceptor (217) for holding a wafer (200) is installed inside the processing chamber (201) of the processing furnace. Installed in the processing furnace are a shower head (236) for shower-wise blowing a clean gas against the wafer, and a gate valve (244) for carrying the wafer into and out of the processing chamber. A high frequency electrode (2) and a heater (3) are installed in the susceptor (217) with clearances defined between them and the wall defining the space. The presence of the clearances between the high frequency electrode and heater and the wall defining the susceptor space ensures that even if thermal expansion differences between the high frequency electrode and heater and the susceptor occur, damage to the high frequency electrode and heater can be prevented.
(FR)Selon l'invention, une électrode cylindrique (215) et un aimant cylindrique (216) sont installés à l'extérieur d'un four de traitement (202) destiné à un dispositif MMT et un suscepteur (217) permettant de supporter une plaquette (200) est installé à l'intérieur de la chambre de traitement (201) du four de traitement. Une pomme de douche (236) permettant de souffler comme une douche un gaz propre contre la plaquette et un robinet-vanne (244) permettant de transporter la plaquette à l'intérieur et à l'extérieur de la chambre de traitement sont installés dans le four de traitement. Une électrode haute fréquence (2) et un élément de chauffage (3) sont installés dans le suscepteur (217), des intervalles étant définis entre ceux-ci et une paroi définissant l'espace. La présence des intervalles entre l'électrode haute fréquence et l'élément de chauffage et la paroi définissant l'espace du suscepteur permet, même si des différences d'expansion thermique entre l'électrode haute fréquence et l'élément de chauffage et le suscepteur ont lieu, d'empêcher l'apparition de dommages sur l'électrode haute fréquence et l'élément de chauffage.
(JA)MMT装置の処理炉(202)の外部には筒状電極(215)および筒状磁石(216)が設置され、処理炉の処理室(201)の内部にはウエハ(200)を保持するサセプタ(217)が設置され、処理炉にはウエハに処理ガスをシャワー状に吹き付けるシヤワーヘッド(236)とウエハを処理室に搬入搬出するためのゲートバルブ(244)が設置されている。サセプタ(217)の内部には高周波電極(2)およびヒータ(3)が、空間を形成する壁との間に間隙をとって配置されている。高周波電極およびヒータとサセプタの空間を形成する壁との間に間隙を有するので、高周波電極およびヒータとサセプタとの間に熱膨張差が発生しても、高周波電極やヒータの破損を防止できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)