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1. (WO2004095507) LIGHT-EMITTING DEVICES WITH AN EMBEDDED CHARGE INJECTION ELECTRODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/095507    International Application No.:    PCT/CA2004/000594
Publication Date: 04.11.2004 International Filing Date: 20.04.2004
Chapter 2 Demand Filed:    23.11.2004    
IPC:
H01L 51/52 (2006.01)
Applicants: LU, Zheng-Hong [CA/CA]; (CA).
FENG, Xiaodong [CN/CA]; (CA)
Inventors: LU, Zheng-Hong; (CA).
FENG, Xiaodong; (CA)
Agent: HILL & SCHUMACHER; 87 Falcon Street, Toronto, Ontario M4S2P4 (CA)
Priority Data:
60/464,662 23.04.2003 US
Title (EN) LIGHT-EMITTING DEVICES WITH AN EMBEDDED CHARGE INJECTION ELECTRODE
(FR) DISPOSITIFS EMETTEURS DE LUMIERE AYANT UNE ELECTRODE D'INJECTION DE CHARGE ENROBEE
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides an organic light -emitting device (OLED) comprising a cathode (90) for external negative bias lead; an anode (30) for external positive bias lead; an embedded charge injection electrode (ECIE) (70) between the aforementioned cathode and anode; an active region (60) emitting light between the cathode and the anode. The ECIE is selected from low work function elements including Ca, Mg, A1, Ag, Au, Ni, Fe, Ni, and Co, bilayers including Fluorides /A1, Mg/Ag, Ca/A1, and trilayers of Fluorides/Al/Fluorides, Fluorides/A1/ (Ca, Mg). The light-emitting layer is elected from conjugated small organic molecules and polymers. The anode is selected based from known high work function materials including ITO, SnO2, Ni, Pt, Au, p++ semiconductors (c-Si, a-Si, a-Si:H, poly silicon). The cathode is selected from one or more layers of high electrical conductive metals and alloys such as ITO, A1, Cr, Cu, Ag, Au, Ni, Fe, Ni, W, Mo and Co.
(FR)La présente invention concerne un dispositif organique émetteur de lumière (OLED). Ce dispositif comprend: (a) une cathode destinée à un câble de polarisation négative externe; (b) une anode destinée à un câble de polarisation positive externe; (c) une électrode d'injection de charge enrobée (ECIE) située entre ladite cathode et ladite anode; (d) une zone active émettrice de lumière située entre la cathode et l'anode. L'électrode ECIE est sélectionnée à partir d'éléments à faible travail de sortie contenant du Ca, Mg, Al, Ag, Au, Ni, Fe, Ni, et Co, des bicouches contenant des fluorures /Al, Mg/Ag, Ca/Al, et des tricouches de fluorures/Al/fluorures, fluorures/Al/(Ca, Mg). La couche émettrice de lumière est sélectionnée parmi des petites molécules organiques conjuguées et des polymères. L'anode est sélectionnée sur la base de matériau à haut travail de sortie contenant ITO, SnO2, Ni, Pt, Au, semi-conducteurs p++ (c-Si, a-Si, a-Si:H, poly silicone). La cathode est sélectionnée parmi au moins une couche de métal hautement conducteur et d'alliages tels que ITO, Al, Cr, Cu, Ag, Au, Ni, Fe, Ni, W, Mo et Co. L'électrode d'injection de charge enrobée peut être utilisée comme une couche d'interférence optique, et la couche de transport d'électrons, la couche de transport creuse ou émettrice de lumière comme espaceurs en fonction de la localisation de l'électrode ICIE. Une interférence optique destructive de l'électrode d'injection de charge enrobée et la cathode ou l'anode réflexive réduit la réflexion de la lumière ambiante.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)