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Pub. No.:    WO/2004/095467    International Application No.:    PCT/JP2003/005285
Publication Date: 04.11.2004 International Filing Date: 24.04.2003
G11C 7/10 (2006.01), G11C 11/406 (2006.01)
Applicants: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 211-8588 (JP) (For All Designated States Except US).
MATSUZAKI, Yasurou [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MATSUZAKI, Yasurou; (JP)
Agent: FURUYA, Fumio; Dai2 Meiho Bldg., 9th Floor, 19-5, Nishishinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160-0023 (JP)
Priority Data:
(JA) 半導体メモリ
Abstract: front page image
(EN)A plurality of flags are formed so as to correspond to respective memory cell groups, each consisting of a plurality of volatile memory cells. Each flag indicates that the memory cell contains data in a second storage mode. When the first storage mode in which each memory cell holds data is switched to the second storage mode in which memory cells of each memory cell group holds the same data, each flag is reset in response to the first access of the corresponding memory cell group. For this, in each memory cell group, only the first access is performed in the second storage mode. In the aforementioned switching operation, by accessing a memory cell by the mode in accordance with the flag, a system managing the semiconductor memory can freely access the memory cell even during the switching operation. As a result, it is possible to substantially eliminate the switching time.
(FR)Selon l'invention, une pluralité de drapeaux sont formés de façon à correspondre à des groupes de cellules de mémoire respectifs, correspondant chacun à une pluralité de cellules de mémoire volatile. Chaque drapeau indique que la cellule de mémoire contient des données dans un second mode de stockage. Lorsque le premier mode de stockage dans lequel chaque cellule de mémoire conserve des données est basculé dans le second mode de stockage dans lequel les cellules de mémoire de chaque groupe conservent les mêmes données, chaque drapeau est réinitialisé en réponse au premier accès du groupe de cellules de mémoire correspondant. Pour cela, dans chaque groupe de cellules de mémoire, seul le premier accès est effectué dans le second mode de stockage. Lors de l'opération de basculement susmentionnée, en accédant à une cellule de mémoire par le mode en conformité avec le drapeau, un système gérant la mémoire à semi-conducteurs peut accéder librement à la cellule de mémoire, y compris pendant l'opération de basculement. Par conséquent, le temps de basculement peut être presque totalement supprimé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)