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1. (WO2004095464) MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING IMPROVED DATA READ OUT METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/095464    International Application No.:    PCT/JP2004/005242
Publication Date: 04.11.2004 International Filing Date: 13.04.2004
IPC:
G11C 11/15 (2006.01)
Applicants: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome Minato-ku Tokyo 1088001 (JP) (For All Designated States Except US).
SAKIMURA, Noboru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HONDA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUGIBAYASHI, Tadahiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SAKIMURA, Noboru; (JP).
HONDA, Takeshi; (JP).
SUGIBAYASHI, Tadahiko; (JP)
Agent: KUDOH, Minoru; 6F, KADOYA BLDG. 24-10 Minamiooi 6-chome Shinagawa-ku Tokyo 1400013 (JP)
Priority Data:
2003-115283 21.04.2003 JP
Title (EN) MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING IMPROVED DATA READ OUT METHOD
(FR) MEMOIRE A ACCES ALEATOIRE MAGNETIQUE UTILISANT UN PROCEDE D'EXTRACTION DE DONNEES AMELIORE
(JA) データの読み出し方法が改善された磁気ランダムアクセスメモリ
Abstract: front page image
(EN)An MRAM includes a plurality of bit lines (33), a reference bit line (34), a plurality of memory cells (21), a plurality of reference cells (22), and a read out section (1). The bit lines (33) and the reference bit line (34) extend in the Y direction. The memory cell (21) is arranged along the bit lines (33) while the reference cells (22) are arranged along the reference bit line (34). The memory cells (21) and the reference cells (22) respectively include a magnetic reluctance element (27) and a reference magnetic reluctance element (27r) having spontaneous magnetization for reversing the magnetization direction by stored data. The read out section (1) includes: a first resistance section (11) having a 9th terminal connected to the bit line (33s) and a 10th terminal connected to a first power source; a second resistance section (12) having an 11th terminal connected to the reference bit line (34) and a 12th terminal connected to the first power source; and a comparison section (13) for comparing the sense potential Vs of the 9th terminal to the reference potential Vref of the 11th terminal.
(FR)L'invention concerne une mémoire à accès aléatoire magnétique comprenant plusieurs lignes binaires (33), une ligne binaire de référence (34), plusieurs cellules de mémoire (21), plusieurs cellules de référence (22) et une section d'extraction (1). Les lignes binaires (33) et la ligne binaire de référence (34) s'étendent dans la direction Y. La cellule de mémoire (21) est placée le long des lignes binaires (33) alors que les cellules de référence (22) sont disposées le long de la ligne binaire de référence (34). Les cellules de mémoire (21) et les cellules de référence (22) comprennent respectivement un élément de réluctance magnétique (27) et un élément de réluctance magnétique de référence (27r) à magnétisation spontanée afin d'inverser la direction de magnétisation par le biais de données stockées. La section d'extraction (1) comprend: une première section de résistance (11) possédant un neuvième terminal relié à la ligne binaire (33s) et un dixième terminal relié à une première source d'énergie; une seconde section de résistance (12) possédant un onzième terminal relié à la ligne binaire de référence (34) et un douzième terminal relié à la première source d'énergie; ainsi qu'une section de comparaison (13) destinée à comparer le potentiel de détection Vs du neuvième terminal avec le potentiel de référence Vref du onzième terminal.
(JA)MRAMは、複数のビット線33と参照ビット線34と複数のメモリセル21と複数の参照セル22と読み出し部1とを具備する。ビット線33と参照ビット線34は、Y方向に延伸する。メモリセル21はビット線33に、参照セル22は参照ビット線34に沿って設ける。メモリセル21及び参照セル22は、それぞれ記憶データで磁化方向が反転する自発磁化を有する磁気抵抗素子27及び参照用磁気抵抗素子27rを備える。読み出し部1は、ビット線33sに接続する第9端子と第1電源に接続した第10端子とを含む第1抵抗部11と、参照ビット線34に接続する第11端子と第1電源に接続した第12端子とを含む第2抵抗部12と、第9端子のセンス電位Vsと第11端子の参照電位Vrefとを比較する比較部13とを備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)