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1. (WO2004095115) METHOD AND APPARATUS FOR PHASE SHIFTING AN OPTICAL BEAM IN AN OPTICAL DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/095115    International Application No.:    PCT/US2004/005939
Publication Date: 04.11.2004 International Filing Date: 26.02.2004
IPC:
G02F 1/025 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventors: NICOLAESCU, Remus; (US).
JONES, Richard; (US)
Agent: MALLIE, Michael, J.; Blakely Sokoloff Tayor & Zafman, 12400 Wilshire Boulevard, 7th Floor, Los Angeles, CA 90025 (US)
Priority Data:
10/397,667 25.03.2003 US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR PHASE SHIFTING AN OPTICAL BEAM IN AN OPTICAL DEVICE
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE DECALAGE DE PHASE D'UN FAISCEAU OPTIQUE DANS UN DISPOSITIF OPTIQUE
Abstract: front page image
(EN)An apparatus and method for modulating a phase of optical beam. In one embodiment, an apparatus according to embodiments of the present invention includes a first region of semiconductor material disposed in a second region of semiconductor material. An insulating region is disposed between the first and second regions of semiconductor material defining a plurality of interfaces between the insulating region and the first and second regions of semiconductor material. An angle of incidence between an optical beam and the plurality of interfaces is substantially equal to Brewster's angle. A plurality of charge modulated regions proximate to the plurality of interfaces in the first and second regions of semiconductor are included such that the optical beam directed through the plurality of interfaces and the plurality of charge modulated regions is phase shifted in response to the plurality of charge modulated regions.
(FR)Appareil et procédé de modulation d'une phase de faisceau optique. Dans un mode de réalisation, un appareil selon la présente invention comporte une première zone de matière semi-conductrice disposée dans une seconde zone de matière semi-conductrice. Une zone d'isolation est disposée entre les première et seconde zones de matière semi-conductrice, définissant ainsi une pluralité d'interfaces entre la zone d'isolation et les première et seconde zones de matière semi-conductrice. Un angle d'incidence entre un faisceau optique et la pluralité d'interfaces est pratiquement égal à l'angle de Brewster. Une pluralité de zones à modulation de charge sont situées à proximité de la pluralité d'interfaces dans les première et seconde zones de matière semi-conductrice de manière telle que le faisceau optique dirigé à travers la pluralité d'interfaces et la pluralité de zones à modulation de charge est décalé en phase en réponse à la pluralité de zones à modulation de charge.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)