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1. (WO2004095084) SUB-MICRON PLANAR LIGHTWAVE DEVICES FORMED ON AN SOI OPTICAL PLATFORM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/095084    International Application No.:    PCT/US2004/012505
Publication Date: 04.11.2004 International Filing Date: 23.04.2004
IPC:
G02B 6/12 (2006.01), G02B 6/42 (2006.01), G02B 6/26 (2006.01)
Applicants: SIOPHCAL, INC. [US/US]; 7540 Windsor Drive, Lower Level, Allentown, PA 18195 (US) (For All Designated States Except US).
GOTHOSKAR, Prakash [IN/US]; (US) (For US Only).
GHIRON, Margaret [US/US]; (US) (For US Only).
MONTGOMERY, Robert, Keith [US/US]; (US) (For US Only).
PATEL, Vipulkumar [US/US]; (US) (For US Only).
SHASTRI, Kalpendu [US/US]; (US) (For US Only).
PATHAK, Soham [US/US]; (US) (For US Only).
YANUSHEFSKI, Katherine, A. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: GOTHOSKAR, Prakash; (US).
GHIRON, Margaret; (US).
MONTGOMERY, Robert, Keith; (US).
PATEL, Vipulkumar; (US).
SHASTRI, Kalpendu; (US).
PATHAK, Soham; (US).
YANUSHEFSKI, Katherine, A.; (US)
Agent: KOBA, Wendy, W.; P.O. Box 556, Springtown, PA 18081 (US)
Priority Data:
60/464,938 23.04.2003 US
  23.04.2004 US (Considered void 25.08.2004)
Title (EN) SUB-MICRON PLANAR LIGHTWAVE DEVICES FORMED ON AN SOI OPTICAL PLATFORM
(FR) DISPOSITIFS A ONDES LUMINEUSES PLANS ET SUBMICRONIQUES FORMES SUR UNE PLATE-FORME OPTIQUE SOI (SILICIUM SUR ISOLANT)
Abstract: front page image
(EN)A set of planar, two-dimensional optical devices (242,244) is able to be created in a sub-micron surface layer of an SOI structure, or within a sub-micron thick combination of an SOI surface layer and an overlying polysilicon layer. Conventional masking/etching techniques may be used to form a variety of passive and optical devices in this SOI platform. Various regions of the devices may be doped to form the active device (180) structures. Additionally, the polysilicon layer may be separately patterned to provide a region of effective mode index change (250) for a propagating optical signal.
(FR)Un ensemble de dispositifs optiques bidimensionnels plans peut être créé dans une couche superficielle submicronique d'une structure SOI (silicium sur isolant) ou dans une combinaison d'épaisseur submicronique d'une couche superficielle SOI et d'une couche de polysilicium sus-jacente. Des techniques de masquage/gravure classiques peuvent être utilisées pour former une variété de dispositifs optiques et passifs dans ladite plate-forme SOI. Diverses zones des dispositifs peuvent être dopées en vue de la formation des structures de dispositifs actifs. De plus, la couche de polysilicium peut être formée selon un certain motif, de manière séparée, afin qu'une zone de changement d'index de mode effectif pour un signal optique se propageant soit produite.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)