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1. (WO2004036707) SINGLE MODE VCSEL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/036707    International Application No.:    PCT/US2003/027685
Publication Date: 29.04.2004 International Filing Date: 02.09.2003
IPC:
H01S 3/08 (2006.01), H01S 3/097 (2006.01), H01S 5/00 (2006.01), H01S 5/024 (2006.01), H01S 5/042 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01)
Applicants: FINISAR CORPORATION [US/US]; 1308 Moffett Park Drive, Sunnyvale, CA 94089 (US)
Inventors: TATUM, James, A.; (US).
JOHNSON, Ralph, H.; (US).
GUENTER, James, K.; (US)
Agent: BURNS ISRAELSEN, R.; Workman, Nydegger, 1000 Eagle Gate Tower, 60 East South Temple, Salt Lake City, UT 84111 (US)
Priority Data:
10/232,382 03.09.2002 US
Title (EN) SINGLE MODE VCSEL
(FR) LASER A CAVITE VERTICALE ET A EMISSION PAR LA SURFACE A MODE UNIQUE
Abstract: front page image
(EN)A VCSEL (100) having a metallic heat spreading layer (128) adjacent a semiconductor buffer layer (122) containing an insulating structure (124). The heat spreading layer (128) includes an opening (130) that enables light emitted by an active region (120) to reflect from a distributed Bragg reflector (DBR) top mirror (132) located above the heat spreading layer (128). A substrate (112) is below the active region (120). A lower contact (114) provides electrical current to that substrate (112). The lower contact (114) includes an opening (115) that enables light emitted from the active region (120) to reflect from a distributed Bragg reflector (DBR) lower mirror (116). Beneficially, the substrate (112) includes a slot that enables light to pass through an opening in the lower contact (114). That slot acts as an alignment structure that enables optical alignment of an external feature to the VCSEL (100).
(FR)La présente invention a trait à un laser à cavité verticale et à émission par la surface comportant une couche de dissipation de chaleur métallique adjacente à une couche tampon semi-conductrice contenant une structure d'isolation. La couche de dissipation de chaleur comprend une ouverture qui permet la réflexion de la lumière émise par une région active à partir d'un miroir supérieur de réflecteur de Bragg réparti situé au-dessus de la couche de dissipation de chaleur. Un substrat se trouve en-dessous de la région active. Un contact inférieur fournit un courant électrique au dit substrat. Le contact inférieur comprend une ouverture qui permet la réflexion de la lumière émise en provenance de la région active à partir d'un miroir inférieur de réflecteur de Bragg réparti. De manière avantageuse, le substrat inclut une fente qui permet le passage de la lumière à travers une ouverture dans le contact inférieur. Cette fente agit comme une structure d'alignement qui permet l'alignement optique d'un élément extérieur au laser à cavité verticale et à émission par la surface.
Designated States: African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)