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1. (WO2004036640) METHOD OF FORMING DIELECTRIC FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/036640    International Application No.:    PCT/JP2003/013323
Publication Date: 29.04.2004 International Filing Date: 17.10.2003
Chapter 2 Demand Filed:    04.02.2004    
IPC:
C23C 16/40 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 107-8481 (JP) (For All Designated States Except US).
TAKAHASHI, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHINRIKI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KUBO, Kazumi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TAKAHASHI, Tsuyoshi; (JP).
SHINRIKI, Hiroshi; (JP).
KUBO, Kazumi; (JP)
Agent: ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku, Tokyo 150-6032 (JP)
Priority Data:
2002-305872 21.10.2002 JP
Title (EN) METHOD OF FORMING DIELECTRIC FILM
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UNE PELLICULE DIELECTRIQUE
(JA) 誘電体膜の形成方法
Abstract: front page image
(EN)A method of forming a dielectric film by an organic metal CVD method, comprising the step of supplying an organic metal compound material into a treating container having a substrate to be treated held therein to form the dielectric film on the substrate, wherein the dielectric film forming step comprises the first step of depositing, in the treating container, the dielectric film under a first condition so set as to allow the retention time of the organic metal compound material to extend to a first value, and the second step of further depositing, after the first step and in the treating container, the dielectric film under a second condition so set as to allow the retention time of the organic metal compound material to extend to a second value smaller than the first value.
(FR)L'invention concerne un procédé destiné à la formation d'une pellicule diélectrique par procédé de dépôt chimique en phase vapeur (DCPV) à partir de dérivés organométalliques, consistant à introduire un composé organométallique dans une chambre de traitement contenant un substrat à traiter pour former la pellicule diélectrique sur le substrat. Cette étape consiste à déposer la pellicule diélectrique dans la chambre de traitement, dans un premier état, et à la laisser reposer pendant un temps de fixation prédéterminé, puis à déposer à nouveau la pellicule diélectrique dans la chambre de traitement, dans un second état, et à la laisser reposer pendant un temps de fixation prédéterminé plus court que le premier.
(JA)有機金属CVD法による誘電体膜の形成方法は、有機金属化合物原料を被処理基板が保持された処理容器中に供給し、前記誘電体膜を前記被処理基板上に形成する工程を含み、前記誘電体膜を形成する工程は、前記処理容器中において前記有機金属化合物原料の滞留時間が第1の値をとるように設定された第1の条件で前記誘電体膜を堆積する第1の工程と、前記第1の工程の後、前記処理容器中において前記有機金属化合物原料の滞留時間が前記第1の値よりも小さい第2の値をとるように設定された第2の条件で前記誘電体膜をさらに堆積する第2の工程とよりなる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)