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1. (WO2004036639) ETCHING SYSTEM AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE USING IT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/036639    International Application No.:    PCT/JP2002/010845
Publication Date: 29.04.2004 International Filing Date: 18.10.2002
Chapter 2 Demand Filed:    27.11.2002    
IPC:
G01N 21/68 (2006.01), G01N 27/00 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8280 (JP) (For All Designated States Except US).
YOKOGAWA, Kenetsu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NEGISHI, Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IZAWA, Masaru [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YOKOGAWA, Kenetsu; (JP).
NEGISHI, Nobuyuki; (JP).
IZAWA, Masaru; (JP)
Agent: SAKUTA, Yasuo; c/o Hitachi, Ltd., 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8220 (JP)
Priority Data:
Title (EN) ETCHING SYSTEM AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE USING IT
(FR) SYSTEME ET PROCEDE DE GRAVURE DESTINES A LA FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR
(JA) エッチング装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)An etching system characterized by comprising means for irradiating an etched wafer substrate with an electron beam having an intensity of irradiation area of 0.00001−1 cm2 and time modulated energy, means for detecting dependency of the strength of a substrate current or a sound wave being excited in the wafer substrate through irradiation by electron beam on the relative angle between the electron beam and the surface of the wafer substrate, and means for making a decision as to whether the etching results, especially the opening and shape of a contact hole, are acceptable or not using the detecting means and designating stoppage of etching for subsequent wafers, designating correction of the etching conditions or correcting the processing conditions automatically.
(FR)La présente invention concerne un système de gravure caractérisé en ce qu'il comprend des moyens qui permettent d'irradier un substrat de plaquette gravé à l'aide d'un faisceau d'électrons possédant une intensité de zone d'irradiation de 0,00001 à 1 cm2 et une énergie modulée dans le temps, des moyens qui permettent de détecter dans quelle mesure la résistance d'un courant de substrat ou d'une onde sonore excitée dans le substrat de plaquette via l'irradiation par un faisceau d'électrons dépend de l'angle relatif entre le faisceau d'électrons et la surface du substrat de plaquette, et des moyens qui permettent de juger si les résultats de la gravure, en particulier l'ouverture et la forme d'un trou de contact, sont acceptables ou non, ceci en utilisant les moyens de détection et en indiquant l'arrêt de la gravure pour les plaquettes suivantes, en indiquant une correction des conditions de la gravure ou en corrigeant automatiquement les conditions de traitement.
(JA)not available
Designated States: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)