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1. (WO2004036638) METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/036638    International Application No.:    PCT/JP2002/010844
Publication Date: 29.04.2004 International Filing Date: 18.10.2002
Chapter 2 Demand Filed:    27.11.2002    
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8280 (JP) (For All Designated States Except US).
NEGISHI, Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOKOGAWA, Kenetsu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IZAWA, Masaru [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NEGISHI, Nobuyuki; (JP).
YOKOGAWA, Kenetsu; (JP).
IZAWA, Masaru; (JP)
Agent: SAKUTA, Yasuo; c/o Hitachi, Ltd., 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8220 (JP)
Priority Data:
Title (EN) METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A method for fabricating a semiconductor device in which yield and productivity can be enhanced. The method for fabricating a semiconductor device comprises a step for providing a plasma etching system comprising a vacuum container (1), a susceptor (7) for placing a wafer (8) in the vacuum container (1), means (2) for introducing material gas to the vacuum container, and means (6) for introducing high−frequency power, and a step for generating, by using the high−frequency power, plasma of the gas introduced into the vacuum container (1) by the gas introducing means (2) and making a plurality of holes selectively in an oxide film (23) on the major surface of the wafer in the plasma atmosphere, characterized in that the flat part and the hole part on the major surface of the semiconductor wafer is irradiated with light (15) having a continuous spectrum in the process for making the holes and variation of reflectivity is measured at the flat part and the hole part.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de semiconducteur à rendement et productivité améliorés. Selon le procédé de l'invention, on forme un système de gravure au plasma comprenant un récipient sous vide (1), un suscepteur (7) qui permet de placer une tranche (8) dans le récipient sous vide (1), des moyens (2) permettant d'introduire une charge gazeuse dans le récipient sous vide, et des moyens (6) permettant d'introduire une énergie haute fréquence; et on produit ensuite, à l'aide de l'énergie haute fréquence, un plasma à partir du gaz introduit dans le récipient sous vide (1) par les moyens d'introduction de gaz (2), et on forme sélectivement une pluralité de trous dans un film d'oxyde (23) sur la surface principale de la tranche dans l'atmosphère de plasma. Le procédé de l'invention est caractérisé en ce que la partie plate et la partie comportant des trous sur la surface principale de la tranche de semiconducteur sont irradiées par une lumière (15) à spectre continu pendant le processus de formation des trous et en ce que l'on mesure la variation de réflectivité de la partie plate et de la partie trouée.
(JA)本発明の目的は歩留りおよび生産性向上が図れる半導体装置の製造方法を提供することにある。本発明に係わる半導体装置の製造方法は、本発明は、真空容器1と、前記真空容器1内に設けられたウエハ8を設置するためのサセプタ7と、前記真空容器に原料ガスを導入するためのガス導入手段2と、および高周波電力導入手段6とを有するプラズマエッチング装置が準備され、前記ガス導入手段2により前記真空容器1内に導入されたガスを前記高周波電力でプラズマ化し、前記プラズマ雰囲気中でウエハ主面の酸化膜23に選択的に複数の穴を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記穴を形成する工程で前記半導体ウエハ主面の平坦部と穴部とに連続スペクトルを有する光15を照射させ、前記平坦部と前記穴部との反射率変化を測定することを特徴とする。
Designated States: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)