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1. (WO2004036637) ROTARY SILICON WAFER CLEANING APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/036637    International Application No.:    PCT/JP2003/011667
Publication Date: 29.04.2004 International Filing Date: 11.09.2003
IPC:
F26B 17/24 (2006.01), F26B 17/30 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Applicants: FUJIKIN INCORPORATED [JP/JP]; 3-2, Itachibori 2-chome, Nishi-ku, Osaka-shi, Osaka 550-0012 (JP) (For All Designated States Except US).
OHMI, Tadahiro [JP/JP]; (JP).
PRE-TECH CO., LTD. [JP/JP]; 1-14, Fuchucho 2-chome, Fuchu-shi, Tokyo 183-0055 (JP) (For All Designated States Except US).
SHIRAI, Yasuyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FUJITA, Takumi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MINAMI, Yukio [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IKEDA, Nobukazu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MORIMOTO, Akihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAWADA, Koji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OHMI, Tadahiro; (JP).
SHIRAI, Yasuyuki; (JP).
FUJITA, Takumi; (JP).
MINAMI, Yukio; (JP).
IKEDA, Nobukazu; (JP).
MORIMOTO, Akihiro; (JP).
KAWADA, Koji; (JP)
Agent: SUGIMOTO, Takeo; Kitahama-Katano Bldg., 1-21, Kitahama 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 541-0041 (JP)
Priority Data:
2002-276818 24.09.2002 JP
Title (EN) ROTARY SILICON WAFER CLEANING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE NETTOYAGE DE PLAQUETTE DE SILICIUM ROTATIF
(JA) 回転式シリコンウエハ洗浄装置
Abstract: front page image
(EN)A rotary silicon wafer cleaning apparatus capable of enhancing the stability of silicon wafer through perfecting of the hydrogen termination for silicon wafer having undergone cleaning operation with the use of chemicals and pure water. The rotary silicon wafer cleaning apparatus comprises a silicon wafer drying equipment, the silicon wafer drying equipment composed of a mixed gas heating unit for heating a mixed gas consisting of a hydrogen gas, the hydrogen gas containing gaseous hydrogen in an amount of 0.05 vol.% or more, and an inert gas and a hydrogen radical generating unit provided with a platinum coating film capable of forming hydrogen radicals at portion in contact with the heated mixed gas, wherein a mixed gas containing hydrogen radicals generated by the hydrogen radical generating unit is jetted on a rotating silicon wafer after cleaning operation so that the drying and hydrogen termination treatment of the external surface of silicon wafer are simultaneously carried out.
(FR)L'invention concerne un appareil de nettoyage de plaquette de silicium rotatif permettant d'améliorer la stabilité d'une plaquette de silicium à travers le perfectionnement de la terminaison hydrogène pour une plaquette de silicium ayant subie une opération de nettoyage au moyen de l'utilisation de substances chimiques et d'eau pure. L'appareil de nettoyage de plaquette de silicium rotatif comprend un équipement de séchage de plaquette de silicium. Cet équipement de séchage de plaquette de silicium est constitué d'une unité de chauffage de gaz mélangé permettant de chauffer un gaz mélangé constitué de gaz d'hydrogène, le gaz d'hydrogène contenant de l'hydrogène gazeux dans une quantité supérieure ou égale à 0,05 % en volume, et un gaz inerte, et une unité de génération de radical d'hydrogène dotée d'un film de revêtement en platine pouvant former des radicaux d'hydrogène au niveau d'une partie en contact avec le gaz mélangé chauffé. Un gaz mélangé contenant des radicaux d'hydrogène générés par l'unité de génération de radicaux d'hydrogène et étant projeté sur la plaquette de silicium en rotation, après l'opération de nettoyage, de sorte que le séchage et le traitement de terminaison d'hydrogène de la surface extérieure de la plaquette de silicium s'effectuent simultanément.
(JA)not available
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)