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1. (WO2004036631) SILICON-CONTAINING LAYER DEPOSITION WITH SILICON COMPOUNDS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/036631    International Application No.:    PCT/US2003/033263
Publication Date: 29.04.2004 International Filing Date: 20.10.2003
IPC:
C01B 33/04 (2006.01), C01B 33/107 (2006.01), C23C 16/24 (2006.01), C23C 16/30 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventors: SINGH, Kaushal, K.; (US).
COMITA, Paul, B.; (US).
SCUDDER, Lance, A.; (US).
CARLSON, David, K.; (US)
Agent: PATTERSON, B., Todd; Moser, Patterson & Sheridan, LLP., 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, TX 77056 (US)
Priority Data:
60/419,376 18.10.2002 US
60/419,504 18.10.2002 US
60/419,426 18.10.2002 US
10/688,797 17.10.2003 US
Title (EN) SILICON-CONTAINING LAYER DEPOSITION WITH SILICON COMPOUNDS
(FR) DEPOT D'UNE COUCHE CONTENANT SILICIUM AU MOYEN DE COMPOSES DE SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)Embodiments of the invention generally provide a composition of silicon compounds and methods for using the silicon compounds to deposit a silicon-containing film. The processes employ introducing the silicon compound to a substrate surface and depositing a portion of the silicon compound, the silicon motif, as the silicon-containing film. The ligands are another portion of the silicon compound and are liberated as an in-situ etchant. The in-situ etchants supports the growth of selective silicon epitaxy. Silicon compounds include SiRX6, Si2RX6, Si2RX8, wherein X is independently hydrogen or halogen and R is carbon, silicon or germanium. Silicon compound also include compounds comprising three silicon atoms, fourth atom of carbon, silicon or germanium and atoms of hydrogen or halogen with at least one halogen, as well as, comprising four silicon atoms, fifth atom of carbon, silicon or germanium and atoms of hydrogen or halogen with at least one halogen.
(FR)L'invention concerne, dans certains de ses modes de réalisation, une composition de composés de silicium, ainsi que des procédés visant à utiliser ces composés de silicium afin de déposer une couche contenant silicium. Ces procédés consistent à introduire le composé de silicium sur la surface d'un substrat et à déposer une partie de ce composé de silicium, à savoir le motif de silicium, sous forme de couche contenant silicium. Les ligands constituent une autre partie de ce composé de silicium et sont libérés sous forme d'agents d'attaque chimique in situ. Ces derniers supportent la croissance épitaxiale sélective du silicium. Ces composés de silicium comprennent SiRX6, Si2RX6, Si2RX8, X représentant indépendamment hydrogène ou halogène et R représentant carbone, silicium ou germanium. Ces composés de silicium consistent également en des composés comprenant trois atomes de silicium, un quatrième atome de carbone, de silicium ou de germanium et des atomes d'hydrogène ou d'halogène dont au moins un est halogène, ainsi que quatre atomes de silicium, un cinquième atome de carbone, silicium ou germanium et des atomes d'hydrogène ou halogène dont au moins un est halogène.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)