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1. (WO2004036630) RAPID THERMAL PROCESSING SYSTEM FOR INTEGRATED CIRCUITS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/036630    International Application No.:    PCT/US2003/031967
Publication Date: 29.04.2004 International Filing Date: 09.10.2003
Chapter 2 Demand Filed:    14.05.2004    
IPC:
H01L 21/00 (2006.01)
Applicants: MATTSON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 47131 Bayside Parkway Fremont, CA 94538 (US) (For All Designated States Except US).
TAY, Sing-Pin [CA/US]; (US) (For US Only).
HU, Yao-Zhi [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: TAY, Sing-Pin; (US).
HU, Yao-Zhi; (US)
Agent: ROGOWSKI, Patricia, Smink; Connolly Bove Lodge & Hutz LLP, The Nemours Building, 1007 North Orange Street, P.O. Box 2207, Wilmington, DE 19899 (US)
Priority Data:
10/272,462 16.10.2002 US
Title (EN) RAPID THERMAL PROCESSING SYSTEM FOR INTEGRATED CIRCUITS
(FR) SYSTEME DE TRAITEMENT THERMIQUE RAPIDE DE CIRCUITS INTEGRES
Abstract: front page image
(EN)In a rapid thermal processing system (60, 90, 260) an array of heat lamps (70, 72, 270, 272) generate radiant heat for heating the surfaces of a semiconductor substrate (64), such as a semiconductor wafer, to a selected temperature or set of temperatures while held within an enclosed chamber (62, 95, 262). The heat lamps are surrounded by one or more optically transparent enclosures (74, 76, 274, 276) that isolate the heat lamps from the chamber environment and the wafer or wafers therein. The optically transparent enclosures include associated reflectors (106, 108, 206, 306, 406) to direct a higher proportion of emitted radiant heat energy from the lamps toward the semiconductor wafer(s). The lamps with such enclosures are mounted for rotation (290, 292, 300) so that the reflectors may alternately shield all or a portion of emitted lamp radiation from the semiconductor substrate.
(FR)L'invention concerne un système de traitement thermique rapide (60, 90, 260) dans lequel un réseau de lampes chauffantes (70, 72, 270, 272) produit une chaleur radiante destinée à chauffer les surfaces d'un substrat semi-conducteur (64), tel qu'une tranche semi-conductrice, à une température sélectionnée, ou à un ensemble de températures, alors que ce substrat est enfermé dans une enceinte close (62, 95, 262). Les lampes chauffantes sont entourées d'une ou de plusieurs enceintes optiquement transparentes (74, 76, 274, 276) isolant les lampes chauffantes de l'environnement de l'enceinte et de la tranche ou des tranches qui s'y trouvent. Les enceintes optiquement transparentes comprennent des réflecteurs associés (106, 108, 206, 306, 406) destinés à diriger une proportion élevée de l'énergie calorifique radiante émise des lampes vers la tranche ou vers les tranches semi-conductrices. Les lampes dans de telles enceintes sont montées rotatives (290, 292, 300) de façon que les réflecteurs puissent alternativement faire écran entre une partie ou la totalité du rayonnement émis et le substrat semi-conducteur.
Designated States: AU, BR, CA, CN, IL, JP, KR, LC, NZ, PH, SG, TR, US, VN, ZA.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)