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1. (WO2004034575) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/034575    International Application No.:    PCT/JP2003/012789
Publication Date: 22.04.2004 International Filing Date: 06.10.2003
Chapter 2 Demand Filed:    06.10.2003    
IPC:
H03F 1/56 (2006.01), H03F 3/19 (2006.01)
Applicants: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 108-8001 (JP) (For All Designated States Except US).
SUZUKI, Yasuyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SUZUKI, Yasuyuki; (JP)
Agent: INAGAKI, Kiyoshi; c/o FUSOH PATENT FIRM, Rindo Building 5F, 37, Kanda-Higashimatsushita-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0042 (JP)
Priority Data:
2002-296982 10.10.2002 JP
2003-273220 11.07.2003 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device having a plurality of cascaded IC's (14,15,16), wherein the matching impedance between each signal transmission path (12) connected to a respective external signal transmission path and a respective one of IC's (14,16) located on the input and output sides is set to the same value of 50 ohms as the characteristic impedance of the external signal transmission path, while the matching impedance between each internal signal transmission path (13) and a respective one of IC's (14,16) located on the input and output sides and the inner IC (15) is set to a value of 200 ohms which is higher than the value of 50 ohms. The semiconductor device consumes less current and can perform a high-speed operation.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semiconducteur possédant plusieurs CI montés en cascade (14, 15, 16), l'impédance à l'adaptation entre chaque voie de transmission de signal (12) connectée à une voie de transmission de signal externe respective et un des CI respectifs (14, 16) situés des côtés entrée ou sortie étant fixée à la même valeur de 50 ohms que celle de l'impédance caractéristique de la voie de transmission de signal, et l'impédance à l'adaptation entre chaque voie de transmission de signal interne (13) et un des CI respectifs (14, 16) situés du côté entrée et sortie et le CI interne (15) étant fixée à une valeur de 200 ohms, soit une valeur supérieure à 50 ohms. Le dispositif à semiconducteur consomme moins de courant et peut fonctionner à grande vitesse.
(JA) 半導体装置は、縦続接続された複数のIC14,15,16を有し、外部の信号伝送路に接続される信号伝送路12と、入出力側IC14,16との間の整合インピダンスを、外部の信号伝送路の特性インピーダンスと同じ50Ωとし、内部の信号伝送路13と入出力側IC14、16及び内部IC15との間の整合インピダンスを50Ωよりも高い200Ωとする。半導体装置の消費電流を低減し、その高速動作を可能とする。
Designated States: CN, US.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)