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1. (WO2004034469) MAGNETIC STORAGE DEVICE USING FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/034469    International Application No.:    PCT/JP2003/011939
Publication Date: 22.04.2004 International Filing Date: 18.09.2003
IPC:
G11C 11/15 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Applicants: SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (For All Designated States Except US).
YOSHIHARA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MORIYAMA, Katsutoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MORI, Hironobu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OKAZAKI, Nobumichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YOSHIHARA, Hiroshi; (JP).
MORIYAMA, Katsutoshi; (JP).
MORI, Hironobu; (JP).
OKAZAKI, Nobumichi; (JP)
Agent: MATSUO, Kenichiro; Imaizumi Koporasu 1F, 4-26, Imaizumi 2-chome, Chuo-ku, Fukuoka-shi, Fukuoka 810-0021 (JP)
Priority Data:
2002-294356 08.10.2002 JP
Title (EN) MAGNETIC STORAGE DEVICE USING FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE MAGNETIQUE UTILISANT UN ELEMENT DE JONCTION A TUNNEL FERROMAGNETIQUE
(JA) 強磁性トンネル接合素子を用いた磁気記憶装置
Abstract: front page image
(EN)There is provided a complementary magnetic storage device capable of accurately writing storage data into a pair of ferromagnetic tunnel junction elements, thereby improving the reliability. In the complementary magnetic storage device, antithetical storage data is stored in a first ferromagnetic tunnel junction element and a second ferromagnetic tunnel junction element. The first ferromagnetic tunnel junction element and the second ferromagnetic tunnel junction element are formed adjacent to each other on a semiconductor substrate. A coil-shaped first write wiring is formed around the first ferromagnetic tunnel junction element and a coil-shaped second write wiring is formed around the second ferromagnetic tunnel junction element in such a manner that the winding direction of the first write wiring is opposite to the winding direction of the second write wiring.
(FR)L'invention concerne un dispositif de stockage magnétique complémentaire capable d'écrire avec précision des données de stockage dans une paire d'éléments de jonction à tunnel ferromagnétique, améliorant ainsi la fiabilité. Dans le dispositif de stockage magnétique complémentaire, les données de stockage antithétiques sont stockées dans un premier élément de jonction à tunnel ferromagnétique et un second élément de jonction à tunnel ferromagnétique. Le premier élément de jonction à tunnel ferromagnétique et le second élément de jonction à tunnel ferromagnétique sont formés adjacents l'un à l'autre sur un substrat à semi-conducteur. Un premier câblage d'écriture en forme de bobine est formé autour du premier élément de jonction à tunnel ferromagnétique et un second câblage d'écriture en forme de bobine est formé autour du second élément de jonction à tunnel ferromagnétique d'une manière telle que le sens d'enroulement du premier câblage d'écriture est opposé au sens d'enroulement du second câblage d'écriture.
(JA)一対の強磁性トンネル接合素子への記憶データの書込みを正確に行えるようにして信頼性を向上させた相補型の磁気記憶装置を提供することを課題とする。そこで本発明では、第1の強磁性トンネル接合素子と第2の強磁性トンネル接合素子とにそれぞれ相反する記憶データを記憶させる相補型の磁気記憶装置において、半導体基板上に前記第1の強磁性トンネル接合素子と前記第2の強磁性トンネル接合素子とを隣接させて形成し、前記第1の強磁性トンネル接合素子の周囲にコイル状の第1の書込み用配線を形成するとともに、前記第2の強磁性トンネル接合素子の周囲にコイル状の第2の書込み用配線を形成し、しかも、前記第1の書込み用配線の巻回方向と前記第2の書込み用配線の巻回方向とを互いに逆向きにした。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)