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1. (WO2004034465) SEMICONDUCTOR COMPRISING AN INSULATING LAYER AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/034465    International Application No.:    PCT/EP2003/009443
Publication Date: 22.04.2004 International Filing Date: 26.08.2003
IPC:
H01L 23/31 (2006.01)
Applicants: EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH [DE/DE]; Max-Planck-Strasse 5, 59581 Warstein (DE) (For All Designated States Except US).
AUERBACH, Franz [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BAYERER, Reinhold [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: AUERBACH, Franz; (DE).
BAYERER, Reinhold; (DE)
Agent: SCHMUCKERMAIER, Bernhard; Westphal, Mussgnug & Partner, Mozartstrasse 8, 80336 München (DE)
Priority Data:
102 42 325.3 12.09.2002 DE
Title (DE) HALBLEITER MIT ISOLIERSCHICHT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) SEMICONDUCTOR COMPRISING AN INSULATING LAYER AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) SEMI-CONDUCTEUR A COUCHE ISOLANTE ET PROCEDE DE PRODUCTION CORRESPONDANT
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung bezieht sich auf einen Halbleiter, insbesondere MOS-Schalter mit zumindest einer integrierten Isolierschicht (IS). Um Zerstörungen bei beispielsweise Bondierungen von Drähten zu verhindern, wird vorgeschlagen, als Isoliermaterial für die Isolierschicht (IS) ein elastisches oder plastisch verformbares Material zu verwenden, insbesondere ein gegenüber Glas elastisches Material zu verwenden.
(EN)The invention relates to a semiconductor, particularly an MOS switch, comprising at least one integrated insulating layer (IS). The aim of the invention is to prevent the occurrence of damages, for example, when bonding wires. To this end, the invention provides that an elastically or plastically deformable material is used as the insulating material for the insulating layer (IS). This material is, in particular, one that is elastic compared to glass.
(FR)L'invention concerne un semi-conducteur, notamment un commutateur MOS comportant au moins une couche isolante intégrée (IS). Afin d'éviter des détériorations, comme par exemple lors de métallisations de fils, il est prévu d'utiliser comme matériau isolant pour la couche isolante (IS), un matériau à déformation élastique ou plastique, notamment un matériau élastique par rapport au verre.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)