WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2004034460) METHOD FOR ELIMINATING VOIDING IN PLATED SOLDER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/034460    International Application No.:    PCT/US2003/030860
Publication Date: 22.04.2004 International Filing Date: 30.09.2003
IPC:
H01L 21/60 (2006.01)
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US)
Inventors: FAY, Owen; (US)
Agent: WUAMETT, Jennifer, B.; Freescale Semiconductor, Inc., 7700 West Parmer Lane, MD: TX32/PL02, Austin, TX 78729-8084 (US)
Priority Data:
10/267,453 09.10.2002 US
Title (EN) METHOD FOR ELIMINATING VOIDING IN PLATED SOLDER
(FR) PROCEDE POUR SUPPRIMER LES ESPACES VIDES DANS UN METAL DE SOUDURE DEPOSE
Abstract: front page image
(EN)A method for plating solder is provided. In accordance with the method, a die having a seed metallization thereon is provided. The seed metallization is microetched (85) with a solution comprising an acid and an oxidizer, thereby forming an etched seed metallization. An under bump metallization (UBM) is then electroplated (87) onto the etched seed metallization, and a lead-free solder composition, such as SnCu, is electroplated (91) onto the UBM. A method for reflowing solder is also provided, which may be used in conjunction with the method for plating solder. In accordance with this later method, the substrate is subjected to a seed metallization etch (137), followed by a microetch (141). A solder flux is then dispensed onto the substrate (147) and the solder is reflowed (149).
(FR)L'invention concerne un procédé de dépôt d'un métal de soudure. Selon ce procédé, une puce est métallisée par germination puis la couche de métallisation par germination est soumise à une microattaque (85) au moyen d'une solution contenant un acide et un oxydant, ce qui permet d'obtenir une couche de métallisation par germination attaquée. Une couche de métallisation sous bosse est ensuite déposée par voie électrolytique (87) sur la couche de métallisation par germination attaquée et une composition de métal de soudure sans plomb, telle que SnCu, est déposée par voie électrolytique (91) sur la couche de métallisation sous bosse. Ladite invention concerne également un procédé de refusion du métal de soudure pouvant être mis en oeuvre conjointement avec le procédé de dépôt de métal de soudure. Selon ledit procédé de refusion, le substrat est soumis à une attaque de la couche de métallisation par germination (137) puis à une microattaque (141). Un flux de métal de soudure est ensuite appliqué sur le substrat (147) puis le métal de soudure est refondu (149).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)