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1. (WO2004033752) TWO-LAYER FILM FOR NEXT GENERATION DAMASCENE BARRIER APPLICATION WITH GOOD OXIDATION RESISTANCE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/033752    International Application No.:    PCT/US2003/031559
Publication Date: 22.04.2004 International Filing Date: 07.10.2003
IPC:
C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/32 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
ZHENG, Yi [US/US]; (US) (For US Only).
NEMANI, Srinivas, D. [US/US]; (US) (For US Only).
XIA, Li-Qun [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: ZHENG, Yi; (US).
NEMANI, Srinivas, D.; (US).
XIA, Li-Qun; (US)
Agent: PATTERSON, B., Todd; Moser, Patterson & Sheridan, LLP, 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, TX 77056 (US)
Priority Data:
10/266,551 07.10.2002 US
Title (EN) TWO-LAYER FILM FOR NEXT GENERATION DAMASCENE BARRIER APPLICATION WITH GOOD OXIDATION RESISTANCE
(FR) FILM BICOUCHE POUR APPLICATION BARRIERE DAMASCENE NOUVELLE GENERATION PRESENTANT UNE BONNE RESISTANCE A L'OXYDATION
Abstract: front page image
(EN)A method is provided for processing a substrate including providing a processing gas comprising an organosilicon compound comprising a phenyl group to the processing chamber, and reacting the processing gas to deposit a low k silicon carbide barrier layer useful as a barrier layer in damascene or dual damascene applications with low k dielectric materials. A method is provided for depositing a silicon carbide cap layer that has substantially no phenyl groups attached to silicon atoms from a processing gas comprising an oxygen-free organosilicon compound on a low k silicon carbide barrier layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement d'un substrat qui consiste à introduire dans la chambre de traitement un gaz de traitement contenant un composé organosilicié présentant un groupe phényle et à faire réagir ce gaz de traitement de façon à déposer une couche barrière de carbure de silicium à faible permittivité (low k), utilisée comme couche barrière dans des applications damascènes ou doubles damacènes avec des matériaux diélectriques à faible permittivité. Cette invention concerne également un procédé pour déposer sur une couche barrière de carbure de silicium à faible permittivité une couche superficielle de carbure de silicium ne présentant sensiblement aucun groupe phényle fixé à des atomes de silicium à partir d'un gaz de traitement contenant un composé organosilicié exempt d'oxygène.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)