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1. (WO2004033365) METHOD OF FORMING A SENSOR FOR DETECTING MOTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/033365    International Application No.:    PCT/US2003/030592
Publication Date: 22.04.2004 International Filing Date: 23.09.2003
IPC:
B81B 3/00 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01), G01C 19/56 (2006.01), G01P 15/08 (2006.01), G01P 15/125 (2006.01)
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US)
Inventors: GOGOI, Bishnu; (US)
Agent: WUAMETT, Jennifer, B.; Freescale Semiconductor, Inc., 7700 West Parmer Lane, MD: TX32/PL02, Austin, TX 78729-8084 (US)
Priority Data:
10/267,082 07.10.2002 US
Title (EN) METHOD OF FORMING A SENSOR FOR DETECTING MOTION
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UN CAPTEUR DE DETECTION DE MOUVEMENT
Abstract: front page image
(EN)A method of forming a sensor for detecting motion is disclosed. The method includes a first step (110) of providing a silicon-on-insulator (SOI) substrate (200) containing a device layer (210), an insulator layer (220), and a handle layer (230). The device layer may be patterned to form a device structure (310). A support substrate (410) is also provided and patterned, and an electrically conductive layer (510) is formed over the support substrate. The SOI substrate and the support substrate are bonded together, and the handle layer and the insulator layer are removed from the SOI substrate, thus releasing the device structure.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'un capteur de détection de mouvement. Le procédé comprend une première étape (110) qui consiste à utiliser un substrat (200) silicium sur isolant contenant une couche (210) de dispositif, une couche (220) d'isolant et une couche (230) de manipulation. La couche de dispositif peut être façonnée pour former une structure (310) de dispositif. Un substrat de support (410) est également prévu et façonné, une couche (510) conduisant l'électricité étant formée au-dessus du substrat de support. Le substrat silicium sur isolant et le substrat de support sont soudés ensemble et la couche de manipulation et la couche d'isolant sont éliminées du substrat silicium sur isolant, ce qui libère ainsi la structure de dispositif.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)